[发明专利]含无铅玻璃料的导电浆

说明书

技术领域

本申请属于导电浆领域，具体地说，涉及一种包含导电金属、无铅玻璃 料和有机载体的导电浆，以及一种应用导电浆的制品。

背景技术

现有的太阳能电池或光电池包含半导体基底、扩散层、抗反射涂层、 背面电极以及正面电极，其中，使用抗反射涂层是为了促进光的吸收， 进而提高光电效率。抗反射涂层通常包含硅(例如：一氮化硅或二氧化 硅)。然而，抗反射涂层使得从半导体基底至正面电极间的电阻增加，产 生减弱激发态电子流动的绝缘作用。

因此，在形成正面电极时，通常使用混合包含导电金属或其衍生物 (例如：银粒子)、玻璃(例如：包含氧化铅)、有机载体等而制成的导电浆， 因为玻璃具有低熔点、低熔融黏度及防止非控制性失透的稳定性。藉由 网版印刷、刻板印刷等方式，在半导体基底上将导电浆印刷为栅线或其 他图案，之后进行烧渗(fire-through)，导电浆于烧结期间穿透该抗反射涂 层，使半导体基底与栅线或其他图案间，透过金属触点而电性接触，进 而形成正面电极。

为了达成合适的烧渗，较佳地使用对于抗反射涂层具有良好溶解度 的玻璃，作为导电浆中的玻璃料。已知用于形成正面电极的导电浆中， 玻璃料经常含有氧化铅的玻璃，因为易于调整玻璃的软化点，可提供良 好的基底黏着性，可轻易地烧渗的可焊性及制备性能优异的太阳能电池 等特性。

近年来大幅提升的环境意识，汽车、电子和太阳能电池等工业上， 希望使用对环境友好的无铅材料。但在烧结后，具备穿透该抗反射涂层 并与该半导体基底形成良好黏着的能力，以及具备优异的太阳能电池转 换效率，又取决于该导电浆的组成，以及经烧渗的所述导电浆与所述半 导体基底间电性接触的品质。

因此，提供一种可于低温烧结的含无铅玻璃料的导电浆，其具备前 述的已知含铅材料的特性，实为业界所期盼。

发明内容

有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是含无铅玻璃料的导电浆，在 烧结后与基底黏着性不足，以及能源转换效率不佳的问题

为了解决上述技术问题，本申请一方面提供一种导电浆，包含：(a)导电 金属或其衍生物，占固体重量的约85至约99.5重量％；(b)包含碲-铋-氧化 物的无铅玻璃料，占固体重量约0.5至约15重量％；以及(c)有机载体；所 述的固体重量系指(a)导电金属及(b)无铅玻璃料的总重量。

在本申请的较佳实施例中，导电金属或其衍生物包含银粉。

在本申请的较佳实施例为无铅玻璃料中，氧化碲与氧化铋的比例分别为 约55至约90重量％及约10至约45重量％。本申请的另一较佳实施例为无 铅玻璃料中，氧化碲与氧化铋的比例分别为约63至约82重量％及约18至 约37重量％。本申请的再一较佳实施例为所述无铅玻璃料中，氧化碲与氧 化铋的比例分别为约70至约75重量％及约25至约30重量％。

载体是包含聚合物与溶剂的溶液。

在本申请的进一步较佳实施例中，所述无铅玻璃料包含一种或多种下列 组成的群组的元素或其氧化物：磷(P)、钡(Ba)、钠(Na)、镁(Mg)、锌(Zn)、 钙(Ca)、锶(Sr)、钨(W)、铝(Al)、锂(Li)、钾(K)、锆(Zr)、钒(V)、硒(Se)、铁 (Fe)、铟(In)、锰(Mn)、锡(Sn)、镍(Ni)、锑(Sb)、银(Ag)、硅(Si)、铒(Er)、 锗(Ge)、钛(Ti)、镓(Ga)、铈(Ce)、铌(Nb)、钐(Sm)及镧(La)等，其比例为所 述无铅玻璃料的约0.1至约10重量％。本申请的另一进一步较佳实施例为所 述有机载体包含一种或多种功能性添加剂，例如：黏度调整剂、分散剂、触 变剂、湿润剂等添加剂。

本申请另一方面提供一种制品，包含一半导体基底，以及设置在该半导 体基底上如上述的导电浆。在本申请的一较佳实施例中，所述制品为半导体 装置。在本申请的另一较佳实施例中，所述半导体装置为太阳能电池。

上述内容已广泛地概述本申请的技术特征及其技术效果。本申请所属领 域技术中具有通常知识者应理解，所公开的具体实施方式可轻易地被组合、 修饰、置换及/或转用于本申请的技术思想范围内的其他物品、方法或用途， 此均等范围并不违反权利要求书中所请求的保护范围。

为了充分了解本申请，于下文对本申请的例示性实施方式为详细说明， 其并非用以限定本申请。本申请亦可为其他形式的实施方式进行实施。