[发明专利]阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括呈矩阵分布的多个金属氧化物半导体薄膜晶体管，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管包括：

基板；

栅极，所述栅极设置在所述基板的一个表面上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极上；

有源层图形，所述有源层图形覆盖在所述栅极绝缘层上；

源极及漏极，所述源极及漏极设置于所述有源层图形上，且分别位于所述栅极的两侧；

第一覆盖层，所述第一覆盖层设置于所述有源层图形上，且与所述有源层图形电连接，所述第一覆盖层未与所述源极及漏极接触；其中，所述第一覆盖层的金属材质比所述有源层图形中的金属材质活泼；

钝化层，所述钝化层覆盖在所述第一覆盖层、源极、漏极及有源层图形上。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二覆盖层，所述第二覆盖层设置于所述第一覆盖层与所述钝化层之间，用于保护第一覆盖层。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二覆盖层为金属材质，所述第一覆盖层的金属材质比所述第二覆盖层的金属材质活泼。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二覆盖层为绝缘材质。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一覆盖层的金属材质为元素周期表中的第IIA及IVA族材料。

6.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括如权利要求1-5任意一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括：

提供一基板；

在所述基板上沉积金属膜层，以形成栅极，从而得到第一半成基板；

在所述第一半成基板上沉积栅极绝缘层，从而得到第二半成基板；

在所述第二半成基板上沉积有源层，以形成有源层图形，从而得到第三半成基板；

在所述第三半成基板上沉积覆盖层，从而得到第四半成基板，其中，所述覆盖层位于所述有源层图形上，所述覆盖层的金属材质比所述有源层图形40的金属材质活泼；

在所述第四半成基板上沉积金属膜层，以形成源极及漏极，以得到第五基板，其中，所述源极及漏极设置于所述有源层图形上，且分别位于所述栅极的两侧，所述覆盖层未与所述源极及漏极接触；

在所述第五基板上沉积钝化层，以使所述钝化层覆盖所述覆盖层、源极、漏极及有源层图形，从而得到所述阵列基板。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤“在所述第三半成基板上沉积覆盖层”包括以下步骤：

在所述第三半成基板上沉积第一子覆盖层；其中，所述第一覆盖层为金属材质；

在所述第一覆盖层上沉积第二子覆盖层，用于保护第一覆盖层，其中，所述第一覆盖层与所述第二覆盖层构成所述覆盖层。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第二子覆盖层为金属材质，所述第一子覆盖层的金属材质比所述第二子覆盖层的金属材质活泼。

10.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一子覆盖层的金属材质为元素周期表中的第IIA及IVA族材料。