[发明专利]阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法。

背景技术

金属氧化物半导体薄膜晶体管以其良好的器件性能，较低的工艺成本，被认为是下一代平板显示中的关键技术。然而，随着显示器性能的提高，包括高分辨率，窄边框技术等，都对阵列基板中的薄膜晶体管的性能，包括稳定性提出更高的要求。相比目前高端显示器常用的低温多晶硅技术，较低稳定性限制了金属氧化物半导体薄膜晶体管应用于驱动电路在玻璃上的集成化等，影响了显示器的稳定性。

发明内容

本发明提供一种阵列基板，显示器及阵列基板的制备方法，以提高显示器的稳定性。

本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括呈矩阵分布的多个金属氧化物半导体薄膜晶体管，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管包括：

基板；

栅极，所述栅极设置在所述基板的一个表面上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极上；

有源层图形，所述有源层图形覆盖在所述栅极绝缘层上；

源极及漏极，所述源极及漏极设置于所述有源层图形上，且分别位于所述栅极的两侧；

第一覆盖层，所述第一覆盖层设置于所述有源层图形上，且与所述有源层图形电连接，所述第一覆盖层未与所述源极及漏极接触；其中，所述第一覆盖层的金属材质比所述有源层图形中的金属材质活泼；

钝化层，所述钝化层覆盖在所述第一覆盖层、源极、漏极及有源层图形上。

其中，所述阵列基板还包括第二覆盖层，所述第二覆盖层设置于所述第一覆盖层与所述钝化层之间，用于保护第一覆盖层。

其中，所述第二覆盖层为金属材质，所述第一覆盖层的金属材质比所述第二覆盖层的金属材质活泼。

其中，所述第二覆盖层为绝缘材质。

其中，所述第一覆盖层的金属材质为元素周期表中的第IIA及IVA族材料。

本发明还提供一种显示器，所述显示器包括上述的阵列基板。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法包括：

提供一基板；

在所述基板上沉积金属膜层，以形成栅极，从而得到第一半成基板；

在所述第一半成基板上沉积栅极绝缘层，从而得到第二半成基板；

在所述第二半成基板上沉积有源层，以形成有源层图形，从而得到第三半成基板；

在所述第三半成基板上沉积覆盖层，从而得到第四半成基板，其中，所述覆盖层位于所述有源层图形上，所述覆盖层的金属材质比所述有源层图形40的金属材质活泼；

在所述第四半成基板上沉积金属膜层，以形成源极及漏极，以得到第五基板，其中，所述源极及漏极设置于所述有源层图形上，且分别位于所述栅极的两侧，所述覆盖层未与所述源极及漏极接触；

在所述第五基板上沉积钝化层，以使所述钝化层覆盖所述覆盖层、源极、漏极及有源层图形，从而得到所述阵列基板。

其中，所述步骤“在所述第三半成基板上沉积覆盖层”包括以下步骤：

在所述第三半成基板上沉积第一子覆盖层；其中，所述第一覆盖层为金属材质；

在所述第一覆盖层上沉积第二子覆盖层，用于保护第一覆盖层，其中，所述第一覆盖层与所述第二覆盖层构成所述覆盖层。

其中，所述第二子覆盖层为金属材质，所述第一子覆盖层的金属材质比所述第二子覆盖层的金属材质活泼。

其中，所述第一子覆盖层的金属材质为元素周期表中的第IIA及IVA族材料。

本发明的阵列基板包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层图形、源极、漏极、第一覆盖层及钝化层，所述栅极设置在所述基板的一个表面上；所述栅极绝缘层覆盖所述栅极上；所述有源层图形覆盖在所述栅极绝缘层上；所述源极及漏极设置于所述有源层图形上，且分别位于所述栅极的两侧；所述第一覆盖层设置于所述有源层图形上，且与所述有源层图形电连接，所述第一覆盖层未与所述源极及漏极接触；其中，所述第一覆盖层的金属材质比所述有源层图形中的金属材质活泼；所述钝化层覆盖在所述第一覆盖层、源极、漏极及有源层图形上。因此，由于所述第一覆盖层中主要采用相对所述有源层图形中的金属原子较活泼的材料，一方面能够俘获所述有源层图形中未形成稳定化学键的氧原子，一方面氧空位增加提高载流子浓度，另一方面所述有源层图形中游离的氧原子减少，氧含量变化小，所述阵列基板的稳定性提高，即具有较高的器件性能。

附图说明