[发明专利]粘接片、带有切割片的粘接片及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造中所用的粘接片，在利用以3分钟从25℃升温到175℃、然后在将175℃维持3小时的条件下的DSC测定描绘的DSC曲线中，从到达175℃到反应峰消失的时间小于30分钟，

在175℃加热30分钟使之固化而得到固化物，在10Hz下测定该固化物的粘弹性，由此得到的200℃的拉伸储能模量为100MPa以上，

所述粘接片含有树脂成分，

所述树脂成分包含环氧树脂、酚醛树脂及丙烯酸类树脂，

所述树脂成分100重量％中的所述丙烯酸类树脂的含量为14重量％以下，

所述粘接片还含有二氧化硅填料，

所述二氧化硅填料的含量为50重量％以上。

2.根据权利要求1所述的粘接片，其中，

利用在25℃～300℃的范围中以每分钟10℃升温的条件下的DSC测定得到的反应热为80mJ/mg以上。

3.根据权利要求1所述的粘接片，其中，

通过在175℃加热30分钟使之固化而得的固化物的Tg为150℃以上。

4.根据权利要求1所述的粘接片，

所述二氧化硅填料的BET比表面积为4m²/g以上。

5.根据权利要求1所述的粘接片，其中，

所述酚醛树脂的羟基当量为120g/eq.以下。

6.一种带切割片的粘接片，具备：

切割片，其具备基材及配置于所述基材上的粘合剂层；及

权利要求1所述的粘接片，其配置于所述粘合剂层上。

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

准备权利要求6所述的带切割片的粘接片的工序；

将半导体晶片压接于所述粘接片的工序；

通过切割配置于所述粘接片上的所述半导体晶片，而形成具备具有焊盘的半导体芯片、及配置于所述半导体芯片上的粘接膜的芯片接合用芯片的工序；

通过在具备端子部的被粘接体压接所述芯片接合用芯片而形成带芯片的被粘接体的工序；

通过加热所述带芯片的被粘接体而使所述粘接膜固化的工序；

在使所述粘接膜固化的工序之后进行的包括将含有铜的金属线的一端与所述焊盘接合的步骤及将所述金属线的另一端与所述端子部接合的步骤的工序。