[发明专利]粘接片、带有切割片的粘接片及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201510834272.6 | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN105623580B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 木村雄大;三隅贞仁;大西谦司;宍户雄一郎 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J163/00 | 分类号: | C09J163/00;C09J133/00;C09J161/06;C09J11/04;C09J7/20;C09J7/30;H01L21/683 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘接片 带有 切割 半导体 装置 制造 方法 | ||
本发明的目的在于,提供可以在短时间内固化、可以减少铜线与焊盘的接合不良、半导体芯片的破裂的粘接片、带有切割片的粘接片。本发明提供一种粘接片,其在利用以3分钟从25℃升温到175℃、然后将175℃维持3小时的条件下的DSC测定描绘的DSC曲线中,从到达175℃到反应峰消失的时间少于30分钟,在10Hz下对通过在175℃加热30分钟使之固化而得的固化物的粘弹性进行测定,由此得到的200℃的拉伸储能弹性模量为100MPa以上。本发明提供带有切割片的粘接片,其具备基材及配置于基材上的粘合剂层的切割片、和配置于粘合剂层上的粘接片。
技术领域
本发明涉及粘接片、带有切割片的粘接片及半导体装置的制造方法。
背景技术
关于半导体装置的方法,例如已知有包括:将半导体芯片用粘接片固定在引线框等被粘接体上的工序、使粘接片固化的工序、和丝焊的工序的半导体装置的方法(例如参照专利文献1)。
近年来,进行了从使用金线的丝焊到使用廉价的铜线的丝焊的转型。另外,从半导体装置的小型化的要求考虑,进行了半导体芯片的小型化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-53190号公报
发明内容
发明所要解决的问题
铜线由于容易氧化,因此难以与半导体芯片的焊盘粘接,熔融球硬。因而,在使用了铜线的丝焊中,半导体芯片容易因从丝焊装置中发出的超声波而振动,容易产生铜线与焊盘的接合不良、芯片破裂。由于与引线框接触的面积小的小型半导体芯片容易振动,因此特别容易产生接合不良、芯片破裂。
本发明的目的在于,解决所述问题,提供可以在短时间内固化、可以减少铜线与焊盘的接合不良、半导体芯片的破裂的粘接片、带有切割片的粘接片。本发明的目的还在于,提供可以在短时间内使粘接片固化、可以减少铜线与焊盘的接合不良、半导体芯片的破裂的半导体装置的制造方法。
用于解决问题的方法
本发明涉及半导体装置的制造中所用的粘接片。本发明的粘接片具备以下的性质。即,在利用以3分钟从25℃升温到175℃、然后将175℃维持3小时的条件下的DSC测定描绘的DSC曲线中,从到达175℃到反应峰消失的时间少于30分钟。由于从到达175℃到反应峰消失的时间少于30分钟,因此可以在短时间内使之固化。本发明的粘接片还具备以下的性质。即,在10Hz下对通过在175℃加热30分钟而固化得到的固化物的粘弹性进行测定,由此得到的200℃的拉伸储能弹性模量为100MPa以上。由于200℃的拉伸储能弹性模量为100MPa以上,因此可以减少半导体芯片的振动,从而可以减少铜线与焊盘的接合不良、半导体芯片的破裂。
本发明的粘接片优选还具备以下的性质。即,利用在25℃~300℃的范围中以每分钟10℃升温的条件下的DSC测定得到的反应热优选为80mJ/mg以上。
本发明的粘接片优选还具备以下的性质。即,通过在175℃加热30分钟而固化得到的固化物的Tg优选为150℃以上。
本发明的粘接片优选含有BET比表面积为4m2/g以上的二氧化硅填料。二氧化硅填料的含量优选为50重量%以上。
本发明的粘接片含有树脂成分。优选树脂成分含有环氧树脂、酚醛树脂及丙烯酸类树脂。更优选树脂成分100重量%中的丙烯酸类树脂的含量为14重量%以下。酚醛树脂的羟基当量优选为120g/eq.以下。
本发明还涉及一种带有切割片的粘接片,其包括具备基材及配置于基材上的粘合剂层的切割片、以及配置于粘合剂层上的粘接片。
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