[发明专利]延长混合存储器中数据保持时间的方法有效
申请号: | 201510834312.7 | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN105302499B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 景蔚亮;陈邦明 | 申请(专利权)人: | 上海新储集成电路有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 延长 混合 存储器 数据 保持 时间 方法 | ||
1.一种延长混合存储器中数据保持时间的方法,其特征在于,所述方法包括:
设定预警值,对所述混合存储器的下级存储器中的数据进行检测,当读出数据的错误位数达到预警值时,将所述数据或所述数据所在的整个页数据或所述数据所在的整个块数据转存至上级存储器中;其中
所述上级存储器比所述下级存储器的数据保持时间长;
所述检测包括主动检测和被动检测,其特征在于:
所述主动检测在空闲或预先设定的某一时段内主动读取存储器中的数据,并把数据送到检测和矫正模块进行检测并判断是否达到所述预警值;
所述被动检测利用系统读取数据时经过检测和校验模块检测出的错误数据量进行判断是否达到所述预警值。
2.根据权利要求1所述的延长混合存储器中数据保持时间的方法,其特征在于,所述上级存储器包括:单层单元型NAND芯片或双层单元型NAND芯片或三层单元型NAND芯片。
3.根据权利要求2所述的延长混合存储器中数据保持时间的方法,其特征在于,所述下级存储器包括:3D-NAND芯片或双层单元型NAND芯片或三层单元型NAND芯片。
4.根据权利要求1所述的延长混合存储器中数据保持时间的方法,其特征在于,所述上级存储器包括:相变存储器或磁性随机存储器或阻变式存储器或铁电存储器。
5.根据权利要求4所述的延长混合存储器中数据保持时间的方法,其特征在于,所述下级存储器包括:NAND存储芯片。
6.根据权利要求1所述的延长混合存储器中数据保持时间的方法,其特征在于,所述预警值小于或等于能够矫正的最大位数。
7.根据权利要求1所述的延长混合存储器中数据保持时间的方法,其特征在于,所述方法具体包括:
上级系统读取所述下级存储器中的所述数据时,所述下级存储器中的检测和矫正模块检测读出数据的错误位数是否达到预警值时,若是,由存储逻辑控制器将所述数据或所述数据所在的整个页数据或所述数据所在的整个块数据转存至所述上级存储器。
8.根据权利要求7所述的延长混合存储器中数据保持时间的方法,其特征在于,所述方法具体包括:
当所述混合存储器空闲时或在预设时间时,所述存储逻辑控制器主动读取所述下级存储器中的经过检测和矫正模块检测读出的所述数据并判断读出的所述数据的错误位数是否达到预警值时,若是,由所述存储逻辑控制器将所述数据或所述数据所在的整个页数据或所述数据所在的整个块数据转存至所述上级存储器。
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