[发明专利]具有与电容器串联的至少一个通孔的芯片用聚合物框架

权利要求书

1.一种由有机基质框架限定的芯片插座，其中所述有机基质框架包括至少一个通孔柱 层，其中穿过包围插座的框架的至少一个通孔包括至少一个电容器，所述电容器包括下电 极、介电层和与所述通孔柱接触的上电极。

2.如权利要求1所述的芯片插座，其中所述电容器的电介质包括Ta₂O₅、TiO₂、Ba_xSr_1-xTiO₃、BaTiO₃、BaO₄SrTi和Al₂O₃中的至少一种。

3.如权利要求1所述的芯片插座，其中所述电容器的下电极包括贵金属。

4.如权利要求1所述的芯片插座，其中所述下电极包括选自金、铂和钽的金属。

5.如权利要求1所述的芯片插座，其中所述上电极包括选自金、铂和钽的金属。

6.如权利要求1所述的芯片插座，其中所述至少一个通孔直立在所述至少一个电容器 上。

7.如权利要求6所述的芯片插座，其中所述上电极包括所述通孔柱。

8.如权利要求1所述的芯片插座，其中所述电容器具有被所述通孔柱的截面积所限定 的截面积，该截面积被仔细控制以调节电容器的电容量。

9.如权利要求1所述的芯片插座，其中所述至少一个电容器具有1.5pF～300pF的电容 量。

10.如权利要求1所述的芯片插座，其中所述至少一个电容器具有5pF～15pF的电容量。

11.如权利要求1所述的芯片插座，其中所述框架还包括至少一个特征层。

12.如权利要求1所述的芯片插座，其中至少一个电子器件嵌入在所述插座中并与所述 至少一个通孔电连接。

13.如权利要求1所述的芯片插座，其中所述至少一个电子器件包括第二电容器。

14.如权利要求13所述的芯片插座，其中所述第二电容器是分立器件，所述分立器件在 其至少一端具有金属端点。

15.如权利要求13所述的芯片插座，其中所述第二电容器是金属-绝缘体-金属(MIM)电 容器。

16.如权利要求13所述的芯片插座，其中所述金属-绝缘体-金属(MIM)电容器包括由选 自Ta₂O₅、TiO₂、Ba_xSr_1-xTiO₃、BaTiO₃、BaO₄SrTi和Al₂O₃中的至少一种电介质构成的介电层。

17.如权利要求13所述的芯片插座，其中所述金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的下电极 包括贵金属。

18.如权利要求13所述的芯片插座，其中所述下电极包括选自金、铂和钽的金属。

19.如权利要求13所述的芯片插座，其中所述金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的上电极 包括选自金、铂和钽的金属。

20.如权利要求13所述的芯片插座，其中所述金属-绝缘体-金属(MIM)电容器附着在绝 缘体载体上。

21.如权利要求13所述的芯片插座，其中所述绝缘体载体包括选自硅(Si)、SiO₂(二氧化 硅)、玻璃、AlN、氧化铝和c-面蓝宝石Al₂O₃(0001)中的至少一种。

22.如权利要求13所述的芯片插座，其中所述金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的极板通 过特征层连接至通孔。