[发明专利]具有与电容器串联的至少一个通孔的芯片用聚合物框架

说明书

技术领域

本发明涉及改进的芯片封装，具体涉及芯片封装中安装有无源器件例如电容器和 滤波器的嵌入式芯片。

背景技术

在对于越来越复杂的电子器件的小型化需求越来越大的带动下，诸如计算机和电 信设备等消费电子产品的集成度越来越高。这已经导致要求支撑结构如IC基板和IC插件具 有通过介电材料彼此电绝缘且高密度的多个导电层和通孔。

这种支撑结构的总体要求是可靠性和适当的电气性能、薄度、刚度、平坦度、散热 性好和有竞争力的单价。

在实现这些要求的各种途径中，一种广泛实施的创建层间互连通孔的制造技术是 采用激光钻孔，所钻出的孔穿透后续布置的介电基板直到最后的金属层，后续填充金属，通 常是铜，该金属通过镀覆技术沉积在其中。这种成孔方法有时也被称为“钻填”，由此产生的 通孔可称为“钻填通孔”。

钻填通孔方法存在多个缺点。因为每个通孔需要单独钻孔，所以生产率受限并且 制造复杂的多通孔IC基板和插件的成本变得高昂。在大型阵列中，通过钻填方法难以生产 出高密度和高品质的彼此紧密相邻且具有不同的尺寸和形状的通孔。此外，激光钻出的通 孔具有穿过介电材料厚度的粗糙侧壁和内向锥度。该锥度减小了通孔的有效直径。特别是 在超小通孔直径的情况下，也可能对于在先的导电金属层的电接触产生不利影响，由此导 致可靠性问题。此外，在被钻的电介质是包括聚合物基质中的玻璃或陶瓷纤维的复合材料 时，侧壁特别粗糙，并且这种粗糙可能会产生附加的杂散电感。

钻出的通孔的填充过程通常是通过铜电镀来完成的。电镀沉积技术会导致凹痕， 其中在通孔顶部出现小坑。或者，当通孔通道被填充超过其容纳量的铜时，可能造成溢出， 从而产生突出超过周围材料的半球形上表面。凹痕和溢出往往在如制造高密度基板和插件 时所需的后续上下堆叠通孔时造成困难。此外，应该认识到，大的通孔通道难以均匀填充， 特别是在其位于插件或IC基板设计的同一互连层内的小通孔附近时。

虽然可接受的尺寸和可靠性正在随着时间的推移而改善，但是上文所述的缺点是 钻填技术的内在缺陷，并且预计会限制可能的通孔尺寸范围。还应该注意的是，激光钻孔是 制造圆形通孔通道的最好方法。虽然理论上可以通过激光铣削制造狭缝形状的通孔通道， 但是实际上可制造的几何形状范围比较有限，并且在给定支撑结构中的通孔通常是圆柱形 的并且是基本相同的。

通过钻填工艺制造通孔是昂贵的，并且难以利用相对具有成本效益的电镀工艺用 铜来均匀和一致地填充由此形成的通孔通道。

在复合介电材料中激光钻出的孔实际上被限制在60×10^-6m直径，并且由于所涉及 的烧蚀过程以及所钻的复合材料的性质，甚至因此而遭受到显著的锥度形状以及粗糙侧壁 的不利影响。

除了上文所述的激光钻孔的其它限制外，钻填技术的另一限制在于难以在同一层 中产生不同直径的通孔，这是因为当钻出不同尺寸的通孔通道并随后用金属填充以制造不 同尺寸通孔时，通孔通道的填充速率不同所致。因此，作为钻填技术的特征性的凹痕或溢出 的典型问题被恶化，因为不可能对不同尺寸通孔同时优化沉积技术。

克服钻填方法的多个缺点的可选解决方案是利用又称为“图案镀覆”的技术，通过 将铜或其它金属沉积到在光刻胶中形成的图案内来制造。

在图案镀覆中，首先沉积种子层。然后在其上沉积光刻胶层，随后曝光形成图案， 并且选择性地移除以制成暴露出种子层的沟槽。通过将铜沉积到光刻胶沟槽中来形成通孔 柱。然后移除剩余的光刻胶，蚀刻掉种子层，并在其上及其周边层压通常为聚合物浸渍玻璃 纤维毡的介电材料，以包围所述通孔柱。然后，可以使用各种技术和工艺来平坦化所述介电 材料，移除其一部分以暴露出通孔柱的顶部，从而允许由此导电接地，用于在其上形成下一 金属层。可在其上通过重复该过程来沉积后续的金属导体层和通孔柱，以形成所需的多层 结构。

在一个替代但紧密关联的技术即下文所称的“面板镀覆”中，将连续的金属或合金 层沉积到基板上。在基板的顶部沉积光刻胶层，并在其中显影出图案。剥除被显影的光刻胶 的图案，选择性地暴露出其下的金属，该金属可随后被蚀刻掉。未显影的光刻胶保护其下方 的金属不被蚀刻掉，并留下直立的特征结构和通孔的图案。