[发明专利]可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃及其生产工艺

权利要求书

1.一种可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，其组成包括：玻璃基片，其特征是：所述的玻璃基片采用磁控溅射镀膜工艺沉积，由内到外依次设有第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层、红外反射层、阻挡层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层、保护层。

2.根据权利要求1所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，其特征是：所述的玻璃基片为普通白玻璃或低铁超白玻璃，厚度为4~12mm。

3.根据权利要求1或2所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，其特征是：所述的第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层是由金属氧化物或非金属氧化物或金属氮化物或非金属氮化物构成，所述的第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层的厚度为10~30nm，所述第一上层电介质组合层的厚度为8~25nm，所述第二上层电介质组合层的厚度为25~60nm。

4.根据权利要求1或2或3所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，其特征是：所述的红外反射层为金属Ag层或Ag合金层，所述的红外反射层的厚度为8~25nm。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，其特征是：所述的阻挡层为金属或金属氧化物或金属氮化物，所述的阻挡层的厚度为0.5~1.5nm。

6.根据权利要求1或2或3或4或5所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，其特征是：所述的保护层为金属氧化物或非金属氧化物或几种氧化物的混合物，所述的保护层的厚度为2~5nm。

7.一种权利要求1-6之一所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，其特征是：该方法包括如下步骤：

（1）将4mm~12mm玻璃基片清洗干净，并将离线磁控溅射设备的本底真空度设置在10-6mbar，线速度设置为6.0m/min；

（2）将玻璃基片传送入镀膜腔室中，双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层设置功率为50~150kW；

（3）平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积红外反射层，设置功率为5~15kW；

（4）平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积阻挡层，设置功率为8~24kW；

（5）双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一上层电介质组合层，设置功率为40~120kW；

（6）双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第二上层电介质组合层，设置功率为120~280kW；

（7）双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积保护层，设置功率为40~100kW。

8.根据权利要求7所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，其特征是：所述的步骤（2）至（7）之间是持续进行的。

9.根据权利要求7或8所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，其特征是：所述的双旋转阴极、中频反应磁控溅射是在氩氮或氩氧环境中进行的，氩氧比为200sccm:1000sccm，氩氮比为400sccm:800sccm，通入工作气体后，工作气压为3.5×10-3~5.5×10-3mbar。

10.根据权利要求7或8或9所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，其特征是：所述的平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射在氩气或氩氮或氩氧环境中进行的，通入工作气体后，工作气压为2.0×10-3~3.5×10-3mbar。