[发明专利]可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃及其生产工艺

说明书

技术领域：

本发明涉及一种可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃及其生产工艺。

背景技术：

低辐射(Low-E)玻璃是一种镀膜玻璃。通过在浮法玻璃基片表面镀上具有低辐射特性的功能膜，来降低玻璃表面的辐射率从而提高玻璃的节能性能。低辐射镀膜玻璃在夏季可以阻隔物体受太阳照射后发出的二次辐射热，同样冬季可以减少室内的热量向外流失，从而发挥隔热保温节能降耗的目的。低辐射玻璃以其优异的节能环保性能而被誉为21世纪最理想的建筑玻璃材料。随着对建筑物装饰性要求的不断提高，低辐射玻璃在建筑行业中的使用量也不断增大。目前市面上常见的低辐射玻璃主要是单银和双银。相对于单银产品，双银低辐射玻璃具有更低的辐射率，更低的遮阳系数，更优的光阳比；但是，对于一年超过200天温度在10℃以下，只有不到90天温度超过20℃的东北严寒地区，低遮阳系数的双银低辐射玻璃由于在冬季增加了采暖能耗，节能效果有时反而不如普通的单银。为了进一步满足东北严寒特殊的气候条件，研发一款可后续加工、透过率高、辐射率低、遮阳系数高的单银低辐射玻璃势在必行。

发明内容：

本发明的目的是提供一种可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃及其生产工艺。

上述的目的通过以下的技术方案实现：

一种可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，其组成包括：玻璃基片，所述的玻璃基片采用磁控溅射镀膜工艺沉积，由内到外依次设有第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层、红外反射层、阻挡层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层、保护层。

所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的玻璃基片为普通白玻璃或低铁超白玻璃，厚度为4~12mm。

所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层是由金属氧化物或非金属氧化物或金属氮化物或非金属氮化物构成，所述的第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层的厚度为10~30nm，所述的第一上层电介质组合层的厚度为8~25nm，所述的第二上层电介质组合层的厚度为25~60nm。

所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的红外反射层为金属Ag层或Ag合金层，所述的红外反射层的厚度为8~25nm。

所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的阻挡层为金属或金属氧化物或金属氮化物，所述的阻挡层的厚度为0.5~1.5nm。

所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃，所述的保护层为金属氧化物或非金属氧化物或几种氧化物的混合物，所述的保护层的厚度为2~5nm。

一种所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，该方法包括如下步骤：

（1）将玻璃基片清洗干净，并将离线磁控溅射设备的本底真空度设置在10-6mbar，线速度设置为6.0m/min；

（2）将玻璃基片传送入镀膜腔室中，双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一基层电介质组合层、第二基层电介质组合层、第三基层电介质组合层设置功率为50~150kW；

（3）平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积红外反射层，设置功率为5~15kW；

（4）平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积阻挡层，设置功率为8~24kW；

（5）双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一上层电介质组合层，设置功率为40~120kW；

（6）双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第二上层电介质组合层，设置功率为120~280kW；

（7）双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积保护层，设置功率为40~100kW。

所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，所述的步骤（2）至（7）之间是持续进行的。

所述的可后续加工的高透单银低辐射镀膜玻璃的生产工艺，所述的双旋转阴极、中频反应磁控溅射是在氩氮或氩氧环境中进行的，氩氧比为200sccm:1000sccm，氩氮比为400sccm:800sccm，通入工作气体后，工作气压为3.5×10-3~5.5×10-3mbar。