[发明专利]半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

半导体本体区域，包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

电容性结构，用于检测到所述半导体本体区域中的裂纹传播；

其中所述电容性结构包括第一电极区域，所述第一电极区域至少部分环绕所述半导体 本体区域并且至少基本上从所述第一表面延伸到所述第二表面；以及

其中所述电容性结构还包括被布置成与所述第一电极区域邻近的第二电极区域以及 在所述第一电极区域与所述第二电极区域之间延伸的电绝缘区域。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中所述第二电极区域至少部分环绕所述半导体本体区域。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中所述第二电极区域至少基本上从所述第一表面延伸到所述第二表面。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括第一接触焊盘和第二接触焊盘，

其中所述第一电极区域电耦合到所述第一接触焊盘；并且其中所述第二电极区域电耦 合到所述第二接触焊盘；以及

其中所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘被配置成电耦合到用于测量所述电容性 结构的特征变量的测量电路。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片，还包括被配置成通过对所述电容性结构进行电 表征来测量所述电容性结构的所述特征变量的值的所述测量电路，

其中所述测量电路还被配置成基于所述特征变量的所测量的值来确定裂纹。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中所述第一电极区域包括第一材料，并且所述第二电极区域包括第二材料。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片，

其中所述第一材料是第一金属或第一金属合金，并且所述第二材料是第二金属或第二 金属合金。

8.根据权利要求6所述的半导体芯片，

其中所述第一材料是第一传导类型的掺杂半导体，并且所述第二材料是第二传导类型 的掺杂半导体。

9.根据权利要求6所述的半导体芯片，

其中所述第一材料是金属或金属合金，并且所述第二材料是掺杂半导体。

10.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中所述电绝缘区域包括介电材料。

11.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中所述电容性结构包括沟槽，所述沟槽包括所述第一电极区域、所述第二电极区域 和所述电绝缘区域。

12.根据权利要求11所述的半导体芯片，

其中所述第一电极区域包括至少部分填充所述沟槽的第一金属或第一金属合金，并且 所述第二电极区域包括至少部分填充所述沟槽的第二金属或第二金属合金。

13.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括沟槽，

其中所述第一电极区域包括包含所述沟槽的侧壁的第一传导类型的第一半导体区域， 其中所述第二电极区域包括第二传导类型的第二半导体区域；以及

其中所述电绝缘区域包括由所述第一半导体区域和所述第二半导体区域形成的耗尽 区域。

14.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中所述电容性结构包括包含所述第一电极区域的第一沟槽；并且其中所述电容性结 构包括包含所述第二电极区域的第二沟槽。

15.根据权利要求14所述的半导体芯片，

其中所述第一电极区域包括至少部分填充所述第一沟槽的第一金属或第一金属合金， 并且所述第二电极区域包括至少部分填充所述第二沟槽的第二金属或第二金属合金。

16.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括被布置成与所述第一电极区域邻近的第 三电极区域以及在所述第三电极区域与所述第一电极区域之间延伸的另外的电绝缘区域。