[发明专利]半导体芯片

说明书

技术领域

各种实施例总体上涉及半导体芯片。

背景技术

通常，半导体芯片(也称为集成电路、IC、芯片或微芯片)可以使用半导体技术在晶 片(或衬底或载体)上和/或中来处理。晶片可以包括在晶片的对应区域中的多个半导体芯 片。在处理期间，半导体芯片可能被机械应力破坏。例如，机械应力可能在例如从晶片分离 半导体芯片期间、在通过定位系统(也称为取放应用)处理半导体芯片期间或者在对半导体 芯片进行热处理期间(例如，在包封或者焊接半导体芯片期间)出现。

这样的机械应力可能在半导体芯片中引起裂纹形成和裂纹传播。裂纹对半导体芯 片(或操作半导体芯片的设备)的影响可能导致半导体芯片的不受控的或未定义的行为，例 如故障或失灵。用于检测半导体芯片中的芯片裂纹的常规方法或传感器可能在其可靠性方 面受到限制，从而导致未检测到的裂纹，其中增加它们的可靠性可能很耗时并且成本太高。

发明内容

根据各种实施例，一种半导体芯片可以包括：包括第一表面和与第一表面相对的 第二表面的半导体本体区域；用于检测到半导体本体区域中的裂纹传播的电容性结构；其 中电容性结构可以包括至少部分环绕半导体本体区域并且至少基本上从第一表面延伸到 第二表面的第一电极区域；其中电容性结构还可以包括被布置成与第一电极区域邻近的第 二电极区域以及在第一电极区域与第二电极区域之间延伸的电绝缘区域。

附图说明

在附图中，相似的附图标记遍及不同的视图通常指代相同的部分。附图不一定按 比例，而重点通常在于说明本发明的原理。在下方的描述中，参考以下附图来描述本发明的 各种实施例，在附图中：

图1A和图1B分别示出包括常规裂纹传感器的半导体芯片；

图2A到图2C分别示出根据各种实施例的半导体芯片；

图3A和图3B分别示出根据各种实施例的半导体芯片；

图4A到图4F分别示出根据各种实施例的在处理期间的各个阶段的半导体芯片；

图5A到图5C分别示出根据各种实施例的在处理期间的各个阶段的半导体芯片；

图6A到图6C分别示出根据各种实施例的在处理期间的各个阶段的半导体芯片；

图7A到图7C分别示出根据各种实施例的在处理期间的各个阶段的半导体芯片；

图8A和图8B分别示出根据各种实施例的在处理期间的各个阶段的半导体芯片；

图9A和图9B分别示出根据各种实施例的半导体芯片；

图10A到图10C分别示出根据各种实施例的在处理期间的各个阶段的半导体芯片；

图11A到图11C分别示出根据各种实施例的在处理期间的各个阶段的半导体芯片；

图12示出根据各种实施例的处理半导体芯片的方法的示意性流程图；

图13示出根据各种实施例的处理半导体芯片的方法的示意性流程图；

图14示出根据各种实施例的处理晶片的方法的示意性流程图；

图15示出根据各种实施例的处理晶片的方法的示意性流程图；

图16示出根据各种实施例的处理晶片的方法的示意性流程图；以及

图17示出根据各种实施例的处理半导体芯片的方法的示意性流程图。

具体实施方式

下方的详细描述参考通过说明的方式示出其中可以实践本发明的具体的细节和 实施例的附图。

词语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或说明”。本文中被描述为“示例 性”的任何实施例或设计并非必须被理解为与其他实施例或设计相比是优选的或有利的。

关于形成在侧部或表面“之上”的沉积材料所使用的词语“之上”在本文中可以用 于表示沉积材料可以形成在所暗示的侧部或表面的“直接上面”，例如与其直接接触。关于 形成在侧部或表面“之上”的沉积材料所使用的词语“之上”在本文中可以用于表示沉积材 料可以形成在所暗示的侧部或表面的“间接上面”，其中暗示的侧部或表面与沉积材料之间 布置有一个或多个另外的层。