[发明专利]用于锂二次电池的负极活性材料和包括其的锂二次电池在审

专利信息
申请号: 201510847013.7 申请日: 2015-11-27
公开(公告)号: CN105655568A 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 金世元;文钟硕;沈揆恩;赵偗任;庾太焕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M10/052
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 二次 电池 负极 活性 材料 包括
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2014年11月28日提交的韩国专利申 请No.10-2014-0169201、于2014年11月28日提交的韩国专利申请No. 10-2014-0169202、于2014年11月28日提交的韩国专利申请No. 10-2014-0169203、和于2014年11月28日提交的韩国专利申请No. 10-2014-0169204的权益,将其公开内容全部引入本文作为参考。

技术领域

本公开内容涉及用于锂二次电池的负极活性材料和包括所述负极活性 材料的锂二次电池。

背景技术

电子、信息和通信行业已经通过制造便携式、小型化、轻质并且转变成 显示出高性能的电子设备而快速发展,并且对于作为所述电子设备的电源的 可实现高容量和高性能的锂二次电池的需求已经增加。此外,由于电动车(EV) 或者混合动力电动车(HEV)已经被投入实际使用,因此已经促进了对具有高 容量和输出以及优异的稳定性的锂二次电池的研究。

锂二次电池包括能够嵌入和脱嵌锂离子的材料作为正极和负极并且通 过用有机电解质溶液或者聚合物电解质填充所述负极和所述正极之间的空 间而制造。由于在锂离子从所述正极和所述负极嵌入或脱嵌时发生的氧化和 还原,从所述正极和负极产生电能。

目前,主要使用碳质材料作为构成锂电池负极的电极活性材料。在碳质 材料的实例中,石墨具有约372mAh/g的理论容量,同时常规石墨的实际容 量已经实现至约350mAh/g-约360mAh/g的范围。然而,碳质材料例如石墨 在提高锂二次电池的容量方面是有限的。因此,对于改善的锂二次电池材料 仍存在需要。

发明内容

提供用于锂电池的负极活性材料,其中抑制根据所述电池的充电/放电的 所述负极活性材料的体积变化。

提供锂二次电池,其通过包括所述负极活性材料而具有改善的初始效率, 充电/放电特性、和容量特性。

另外的方面将部分地在以下描述中阐明,并且部分地将从所述描述明 晰,或者可通过所呈现的示例性实施方式的实践而获知。

根据一个方面,用于锂二次电池的负极活性材料包括硅二次颗粒,所述 硅二次颗粒为非晶硅一次颗粒和结晶硅一次颗粒的附聚物,其中所述硅二次 颗粒包括开孔,所述开孔的尺寸在约1nm-约10μm的范围内,和所述开孔 各自是在所述硅二次颗粒中的细孔连接时形成的。

所述非晶硅一次颗粒的平均粒径(D50)和所述结晶硅一次颗粒的平均粒 径(D50)可在约10nm-约10μm的范围内。

所述硅二次颗粒可进一步包括选自闭孔和半闭孔的至少一种类型的孔。

所述硅二次颗粒的比表面积可在约2m2/g-约100m2/g的范围内。

所述非晶硅一次颗粒和所述结晶硅一次颗粒的附聚物是硅烷气体在惰 性气体气氛中的分解产物。

所述硅二次颗粒的平均粒径(D50)可在约0.1μm-约15μm的范围内。

所述负极活性材料可进一步包括具有在约1μm-约10μm范围内的平均 粒径(D50)的硅一次颗粒,所述硅二次颗粒为具有约50nm-约3μm的尺寸的 硅一次颗粒的附聚物,所述负极活性材料包括硅二次颗粒,所述硅二次颗粒 可包括:芯部分,其包括具有在约1μm-约10μm范围内的平均粒径(D50) 的硅一次颗粒的附聚物;和附聚在所述芯部分的表面上的多孔壳部分,所述 多孔壳部分包括具有在约50nm-约3μm范围内的平均粒径(D50)的硅一次颗 粒的附聚物。

所述芯部分可包括结晶硅一次颗粒的附聚物,或非晶硅一次颗粒和结晶 硅一次颗粒的附聚物。

所述壳部分可包括所述非晶硅一次颗粒和结晶硅一次颗粒的所述附聚 物。

所述芯部分可占据从所述硅二次颗粒的中心至所述硅二次颗粒的表面 的距离的60%区域,和所述壳部分占据所述距离的剩余部分,并且所述壳部 分的孔隙率可为所述芯部分的孔隙率的至少约1.7倍或更大,基于所述芯部 分。

所述芯部分的孔隙率可为大于约0%且小于或等于约10%,并且所述壳 部分的孔隙率为约20%或更大到约90%或更小。

所述芯部分的量可在约10重量%-约90重量%的范围内,基于所述硅二 次颗粒的总重量。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510847013.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code