[发明专利]一种检测转基因CaMV35S启动子的电极的制备方法及用途

权利要求书

1.一种检测转基因CaMV35S启动子电极的制备方法，其特征在于，包括：

步骤1、还原氧化石墨烯/金纳米复合材料RGO/Au的制备步骤；

步骤2、二氧化硅纳米微球@碲化镉纳米复合材料SiO₂@CdTe的制备步骤；

步骤3、在ITO电极上制备探针1的步骤：将RGO/Au分散于蒸馏水中得到RGO/Au分 散液后滴涂于ITO电极表面的修饰区，进行干燥；取溶有探针1的tris-HCl缓冲液滴涂于所 述干燥后的RGO/Au表面，进行干燥；冲洗电极表面后，进行干燥，得到ITO-rGO/Au-Probe1；

步骤4、向探针1修饰目标DNACaMV35S启动子的步骤：取溶有目标DNACaMV35S 启动子的tris-HCl缓冲液滴涂于所述ITO-rGO/Au-Probe1的表面，室温孵育，待干燥后冲洗 电极，得到ITO-rGO/Au-Probe1-t-DNA；

步骤5、向目标DNACaMV35S启动子修饰探针2的步骤：将SiO₂@CdTe的蒸馏水分散 液和N-羟基琥珀酰亚胺的水溶液加入到乙基-(3-二甲基氨丙基)碳二亚胺盐酸盐的水溶液中 进行反应，反应结束后，离心并洗涤得到固体A，将所得固体A加入到溶有探针2的tris-HCl 缓冲液中，得到混合液A，振荡反应一段时间后，得到固体产物Probe2/SiO₂@CdTe；将 Probe2/SiO₂@CdTe分散于蒸馏水中后，得到混合液B，将混合液B滴涂于所述 ITO-rGO/Au-Probe1-t-DNA表面，孵育，待干燥后冲洗电极表面，得到 ITO-rGO/Au-Probe1-t-DNA-Probe2/SiO₂@CdTe。

2.由权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中，RGO/Au分散液的浓度为1～4mg/mL， 滴涂于ITO表面的RGO/Au分散液的量为20μL；溶有探针1的tris-HCl缓冲液用量为10μL， 探针1的浓度为4μM。

3.由权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中，溶有目标DNA的tris-HCl缓冲液 用量为20μL，目标DNACaMV35S启动子的浓度为0.05pM～100pM。

4.由权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中，所用的SiO₂@CdTe的蒸馏水分散 液、N-羟基琥珀酰亚胺的水溶液、乙基-(3-二甲基氨丙基)碳二亚胺盐酸盐的水溶液的体积 比25:1:1；所用的SiO₂@CdTe的蒸馏水分散液的浓度为1mg/mL，N-羟基琥珀酰亚胺的水溶 液的浓度为0.2M，乙基-(3-二甲基氨丙基)碳二亚胺盐酸盐的水溶液的浓度为0.4M；混合 液A中，所用的溶有探针2的tris-HCl缓冲液中探针2的浓度为10μM，且混合液A中，每 100μLtris-HCl缓冲液中含有1mgSiO₂@CdTe；混合液B中，Probe2/SiO₂@CdTe的浓度为4μM。

5.由权利要求1～4任意一项所述的方法，其特征在于，SiO₂@CdTe的制备方法为：选取 硅球加入到邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯中，搅拌反应，搅拌反应完毕进行离心、洗涤后， 取沉淀加入到CdTe的蒸馏水分散液中，搅拌反应，反应结束后，离心、洗涤、干燥，得到产 物，备用。

6.由权利要求1～4任意一项所述的方法，其特征在于，所用的探针1序列为5’HS-GGCC ATCGTTGAA3’；目标DNACaMV35S启动子序列为5’GGCAGAGGCATCTTCAACGAT GGCC3’；探针2序列为5’GATGCCTCTGCC-NH23’。

7.由权利要求1～4任意一项所述的方法，其特征在于，在进行向目标DNA修饰探针2前， 先取新鲜配置的0.01mM6-巯基己醇20μL，滴加在ITO-rGO/Au-Probe1-t-DNA表面，2小时 后用，用PH7.0的PBS缓冲液冲洗电极3次。