[发明专利]支撑单元和包括其的基板处理装置

说明书

技术领域

在此描述的本发明构思的具体实施方式涉及一种用于处理基板的基板处理装置，更具体地，涉及一种使用等离子体的基板处理装置。

背景技术

等离子体由非常高的温度，强电场或RF电磁场产生，并且涉及包括离子，电子，自由基等的电离气体状态。半导体装置的制造工艺使用等离子体用于刻蚀工序。刻蚀工序通过使包含在等离子体中的离子粒子与基板碰撞而进行。

在处理室中进行蚀刻工序。将工艺气体提供在处理室中，并且通过向处理室内供给高频电源，使工艺气体被激发成等离子体状态。

向所述基板处理装置供给电源，以产生等离子体。RF电源被用作所述电源。用于提高基板处理过程的效率的RF电源需要高偏置功率RF。然而，室内温度由于应用高偏置功率RF出现的高功率而升高。特别是，室内的内衬的温度不被控制，因此温度可能会升高到恒定的温度以上。此外，支撑构件下面用于支撑基板的部件由于升高的温度被损坏。

发明内容

本发明构思的实施方式提供一种改进基板处理工艺效率的支撑单元和包括其的基板处理装置。

另外，本发明构思的实施方式提供一种能够避免内衬由在基板处理工艺过程中产生的热而损坏的支撑单元和包括其的基板处理装置。

另外，本发明构思的实施方式提供一种能够避免支撑单元由在基板处理工艺过程中产生的热而损坏的支撑单元和包括其的基板处理装置。

本发明构思的具体实施方式提供用于处理基板的装置。

本发明的构思的实施方式一方面旨在提供一种基板处理装置，包括处理室，其内具有处理空间；支撑单元，置于处理室内并支撑基板；气体供给单元，将处理气体供给到处理室内；等离子体源，使用处理气体产生等离子体；以及内衬单元，与所述处理室的内侧壁或所述处理室内的所述支撑单元邻近或接触。所述支撑单元包括：上板，在其上放置基板，所述上板的上表面由非导电材料形成；电极板，放置在上板下方并由导电材料形成；和下板，放置在电极板下方并具有环状。在下板中提供冷却构件。

所述冷却构件可以包括形成在下板中的下流道，冷却流体流过所述下流道。

所述电极板可以在其中包括上流道，用于冷却上板的冷却流体流过所述上流道。

所述的基板处理装置可以进一步包括：加热处理室的壁的加热器。

所述上板可以在其中包括静电电极，所述静电电极使用静电力吸引基板。

所述内衬单元可以包括：内侧内衬，形成为围绕所述上板，所述电极板和所述下板中的一个，一部分或全部；和外侧内衬，置于处理室内并形成为环状。

本发明的构思的实施方式另一方面旨在提供一种用于支撑基板的支撑单元，所述支撑单元包括：上板，在其上放置基板，所述上板的上表面由非导电材料形成；电极板，放置在所述上板下方并由导电材料形成；和下板，放置在所述电极板下方并具有环状。在所述下板中提供冷却构件。

所述冷却构件可以包括：形成在所述下板中的下流道，冷却流体流过所述下流道；以及在所述电极板中可以包括上流道，用于冷却所述上板的冷却流体流过所述上流道。

在所述上板中形成有用于使用静电力吸引基板的静电电极。

附图说明

从下面参考以下附图的描述，上述和其它目的和特征将变得显而易见，其中除非另外指定，在各附图中同样的参考标号指代同样的部分，并且其中：

图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的剖视图。

图2是示出图1中的支撑单元的图；

图3是示出图2中的下板的透视图；以及

图4是示意性地示出当用图1中的基板处理装置进行处理时的热生成部和由冷却流道冷却的部分的图。

具体实施方式

将参考附图对实施方式进行详细描述。然而，本发明的构思，也可以实施为各种不同的形式，并且不应当被解释为仅限于所示实施方式。本发明的构思的实施方式被提供用于向本领域技术人员更全面地说明本发明的构思的范围。因此，在附图的部件的形状可以被夸大，以强调更清楚的描述。

本发明的实施方式将对用于利用等离子体蚀刻基板的基板处理装置进行说明。然而，本发明的构思并不限于此，等离子体被供给在处理室内。本发明的构思可以应用于各种类型的装置以进行处理。

图1示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的剖视图。图2是示出图1中的支撑单元的图。图3是示出图2中的下板的透视图。