[发明专利]一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法有效
申请号: | 201510849715.9 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN105523760B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 侯育冬;朝鲁门;朱满康;郑木鹏 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张慧 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稳定 反铁电性 低介电 损耗 铌酸钠 陶瓷材料 制备 方法 | ||
1.一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)按化学式NaNbO3的摩尔计量比Na:Nb=1:1的称取Na2CO3和Nb2O5粉体,置入球磨罐中,球磨12小时后,得到混合均匀的粉体;Na2CO3使用前在200℃下烘干,并选用无水乙醇为混料的研磨介质;Na2CO3和Nb2O5均为微米级粉体;
(2)将步骤(1)得到的粉体按固定球料比称取置入高能球磨罐中球磨,球磨条件为:球料比为15:1~30:1,球磨转速600~1000r/min,球磨时间30~120min,得到纳米尺度的陶瓷粉体;其反应过程如下:
Na2CO3+Nb2O5→2NaNbO3+CO2↑;
(3)将步骤(2)得到陶瓷粉体直接压制成坯体,不加任何粘结剂;
(4)对步骤(3)得到的坯体进行烧结,烧结条件为:7℃/min的速率从室温升至650℃,然后3.4℃/min的速率升至950℃,再4℃/min的速率升至1350~1375℃保温2小时后随炉冷却至室温;同时烧结过程中坯体埋在步骤(2)所得到的粉体中,进行烧结。
2.按照权利要求1所述的一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)球磨条件为:球料比为20:1,球磨转速800r/min,球磨时间90min时得到粉体,粒度分布为12~20nm铌酸钠纳米粉体。
3.按照权利要求1所述的一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤(4)升至1365℃保温2小时。
4.按照权利要求1-3所述的任一方法制备得到的稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料。
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