[发明专利]一种提取寄生电阻的方法及系统

权利要求书

1.一种提取寄生电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：

对集成电路版图数据进行仿真；

获取集成电路版图仿真数据；

根据集成电路工艺参数对所述集成电路版图仿真数据进行寄生电阻提取；

所述集成电路工艺参数包括：物理连线层电阻率、物理连线层厚度和介质层厚度；

所述集成电路版图仿真数据进行寄生电阻提取包括：

构建同一连线层上连线段的立体几何图形；

对所述立体几何图形利用有限元或边界元法计算该连线段的寄生电阻；

所述构建同一连线层上连线段的立体几何图形包括：利用同一连线层上连线段的集成电路版图及仿真数据构建前后左右的表面形貌、构建上表面形貌和构建下表面形貌。

2.根据权利要求1所述提取寄生电阻的方法，其特征在于，所述集成电路版图数据包括：各个物理层上几何图形在X-Y平面上的数据和各个物理层上几何图形在Z方向上的数据。

3.根据权利要求1所述提取寄生电阻的方法，其特征在于，所述对集成电路版图数据进行仿真包括：

对所述集成电路各个物理层上版图数据在X-Y平面上进行光刻仿真，以得到各几何图形在X-Y平面上的几何形貌曲线；和/或

对所述集成电路版图数据在Z方向上进行化学-机械-研磨抛光仿真，以得到各几何图形在Z方向上的几何形貌曲面。

4.根据权利要求3所述提取寄生电阻的方法，其特征在于，所述对集成电路版图数据进行仿真还包括：

对介质层在Z方向上进行化学-机械-研磨抛光仿真，以得到各介质层在Z方向上的几何形貌曲面。

5.根据权利要求3或4所述提取寄生电阻的方法，所述对集成电路版图数据进行仿真还包括：

依制造所采用的工艺步骤的顺序对集成电路版图数据进行仿真。

6.根据权利要求3所述提取寄生电阻的方法，其特征在于，所述对集成电路版图数据进行仿真还包括：

在进行所述光刻仿真之前，对所述集成电路版图数据先进行双重光刻的版图分解或多重光刻的版图分解，以得到分解后的集成电路版图数据。

7.根据权利要求3或6所述提取寄生电阻的方法，其特征在于，所述对集成电路版图数据进行仿真还包括：

在进行所述光刻仿真之前，对所述集成电路版图数据先进行光学临近效应修正。

8.根据权利要求7所述提取寄生电阻的方法，其特征在于，构建同一连线层上连线段的立体几何图形的前后左右的表面形貌包括：在同一连线层上连线段的集成电路版图及仿真数据的基础上，利用该段物理连线在X-Y平面上的几何图形构建前后左右的表面形貌，或利用该段物理连线在X-Y平面上的几何图形形貌曲线构建前后左右的表面形貌，或利用该段物理连线在X-Y平面上的几何图形在底面的形貌曲线和顶面的形貌曲线构建前后左右的表面形貌。

9.根据权利要求7所述提取寄生电阻的方法，其特征在于，构建同一连线层上连线段的立体几何图形的下表面形貌包括：在同一连线层上连线段的集成电路版图及仿真数据的基础上，构建水平底面作为下表面，或利用该连线段版图图形所在区域下方介质层上表面对应的在Z方向的形貌曲面作为下表面。

10.根据权利要求7所述提取寄生电阻的方法，其特征在于，构建同一连线层上连线段的立体几何图形的上表面形貌包括：在同一连线层上连线段的集成电路版图及仿真数据的基础上，在水平的下表面上方距离为该连线层的厚度值的位置处创建水平的上表面，或利用该连线段版图图形在Z方向的形貌曲面作为上表面。