[发明专利]一种提取寄生电阻的方法及系统

说明书

本发明提供一种提取寄生电阻的方法，包括以下步骤：对集成电路版图数据进行仿真；获取集成电路版图仿真数据；根据集成电路工艺参数对所述集成电路版图仿真数据进行寄生电阻提取。本发明还提供一种提取寄生电阻的系统。本发明方案能够有效解决集成电路制造过程中实际制造与集成电路设计的几何图形偏差而造成提取寄生电阻不精确的问题，提高寄生电阻提取的精确度。

技术领域

本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种提取寄生电阻的方法及系统。

背景技术

随着科技的发展，电路优化设计成为集成电路设计流程中的一个重要阶段。电路优化的目的就是提高电路的电学性能，而电路的最终实际电学性能不仅取决电路的器件参数值，还取决于器件本身的寄生效应、器件之间的寄生效应、连线本身的寄生效应、连线之间的寄生效应、以及连线和器件之间的寄生效应，而在其中相邻连线间的寄生效应尤为关键。从电路优化理论上来讲，为了得到准确的电路优化结果，需要精确考虑所设计的电路上的各个器件连线之间的寄生效应，包括各互连线之间的寄生电阻。

传统提取寄生电阻的方法其前提假设是集成电路制造过程中实际制造出来的几何图形与集成电路设计得到的版图数据中的几何图形之间的在X-Y平面上偏差很小可以忽略不计、在Z方向偏差极小可以忽略不计。因此，传统提取寄生电阻的方法如图1所示，由寄生电阻提取引擎根据集成电路工艺参数对设集成电路版图的设计数据进行寄生电阻提取，形成寄生电阻网表。

随着集成电路工艺技术的不断进步，集成电路工艺的特征尺寸不断缩小，互连线之间的间距也在不断缩小，因为邻近图形差异导致的光学效应效应不一致性、刻蚀的方向性差异导致的边沿粗造性、金属图形密度差异引起的金属化学-机械-研磨(抛光)不一致性等的缘故，集成电路制造过程中实际制造出来的几何图形与集成电路设计得到的版图数据中的几何图形之间的偏差很大，这种偏差不仅表现为X-Y平面(平行硅圆片平面)上的几何图形差异，而且还表现为Z方向(垂直于硅圆片平面)上几何图形差异，这种差异导致寄生电阻的变化对电路功能和性能的影响比较明显，不能忽略不计了。传统提取寄生电阻的方法其前提假设不再成立，因此传统提取寄生电阻的方法不再适用于先进集成电路工艺下的集成电路版图寄生电阻提取，特别是不再适用于先进集成电路工艺下的高速、高频集成电路版图的寄生电阻提取。为此，我们需要新的高精度的集成电路版图金属互连线之间的寄生电阻提取方法。

发明内容

本发明提供一种提取寄生电阻的方法及系统，解决了集成电路制造过程中实际制造与集成电路设计的几何图形偏差而造成提取寄生电阻不精确的问题，

为实现上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种提取寄生电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：

对集成电路版图数据进行仿真；

获取集成电路版图仿真数据；

根据集成电路工艺参数对所述集成电路版图仿真数据进行寄生电阻提取。

优选的，所述集成电路版图数据包括：各个物理层上几何图形在X-Y平面上的数据和各个物理层上几何图形在Z方向上的数据。

优选的，所述对集成电路版图数据进行仿真包括：

对所述集成电路各个物理层上版图数据在X-Y平面上进行光刻仿真，以得到各几何图形在X-Y平面上的几何形貌曲线；和/或

对所述集成电路版图数据在Z方向上进行化学-机械-研磨抛光仿真，以得到各几何图形在Z方向上的几何形貌曲面。

优选的，所述对集成电路版图数据进行仿真包括：

对所述介质层在Z方向上进行化学-机械-研磨抛光仿真，以得到各介质层在Z方向上的几何形貌曲面。

优选的，所述对集成电路版图数据进行仿真包括：