[发明专利]无晶片基材的中介层的制作方法有效

专利信息
申请号: 201510851550.9 申请日: 2015-11-27
公开(公告)号: CN105655309B 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 张添祥;薛文皓;李志雄 申请(专利权)人: 鉝晶国际科技有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L21/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶片 基材 中介 制作方法
【权利要求书】:

1.一种无晶片基材中介层的制作方法,其特征在于,包含下列步骤:

提供一透光载板;

形成一缓冲层于该透光载板上表面;

形成第一接触垫于该缓冲层上;

形成内连线于该第一接触垫上表面;

形成一非导电层于该缓冲层上并填充于相邻的该内连线之间,其中该非导电层曝露出该内连线上表面;

进行第一次重分布制造工艺,形成第一导线图案于该非导电层上表面,以连接该内连线;

形成一防护层于该第一导线图案上方;

形成第一接触孔于该防护层上;

形成第二接触垫于该防护层上表面,并经由该第一接触孔电连接该第一导线图案;且

由该透光载板下表面以激光照射该缓冲层,让该缓冲层汽化解离,使该第一接触垫与该非导电层由该透光载板上表面脱离。

2.如权利要求1所述无晶片基材中介层的制作方法,其特征在于,该透光载板是由石英玻璃或蓝宝石玻璃构成。

3.如权利要求1所述无晶片基材中介层的制作方法,其特征在于,该缓冲层的材料选择氮化镓、氮化铝、氧化铝、氧化锌或其任意组合。

4.如权利要求1所述无晶片基材中介层的制作方法,其特征在于,所述形成一非导电层的步骤,还包括:

沉积一硅层于该缓冲层、该第一接触垫与该内连线之上;且

研磨该硅层直到该内连线上表面曝露出来。

5.如权利要求1所述无晶片基材中介层的制作方法,其特征在于,所述形成一非导电层的步骤,还包括涂布一玻璃层于该缓冲层上表面并填充于相邻的该内连线间,其中该玻璃层曝露出该内连线上表面。

6.如权利要求1所述无晶片基材中介层的制作方法,其特征在于,所述形成一非导电层的步骤,还包括涂布一有机材料层于该缓冲层上表面并填充于相邻的该内连线间,其中该有机材料层曝露出该内连线上表面。

7.如权利要求1所述无晶片基材中介层的制作方法,其特征在于,在进行所述第一次重分布制造工艺形成该第一导线图案之后,还包括下列步骤:

形成第一介电层于非导电层上,以覆盖该非导电层与该第一导线图案;

形成第二接触孔于该第一介电层上,以曝露出部份该第一导线图案;且

进行第二次重分布制造工艺,形成第二导线图案于该第一介电层上表面,其中该第二导线图案经由该第二接触孔连接该第一导线图案。

8.如权利要求7所述无晶片基材中介层的制作方法,其特征在于,在进行所述第二次重分布制造工艺形成该第二导线图案之后,还包括下列步骤:

形成第二介电层于该第二导线图案与该第一介电层上;

形成第三接触孔于该第二介电层上,以曝露出部份该第二导线图案;且

进行第三次重分布制造工艺,形成第三导线图案于该第二介电层上表面,其中该第三导线图案经由该第三接触孔连接该第二导线图案。

9.如权利要求1所述无晶片基材中介层的制作方法,其特征在于,该缓冲层的材料选择钛、钨化钛、镍、铝、铜、金、银或其任意组合。

10.如权利要求1所述无晶片基材中介层的制作方法,其特征在于,该缓冲层的材料选择钛。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鉝晶国际科技有限公司,未经鉝晶国际科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510851550.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top