[发明专利]无晶片基材的中介层的制作方法

说明书

本发明提供了一种无晶片基材的中介层的制作方法，包括下列步骤。提供一透光载板。形成缓冲层于透光载板上表面。形成第一接触垫于缓冲层上，且形成内连线于第一接触垫上。形成非导电层于缓冲层上，并填充于相邻的内连线之间，所形成的非导电层会曝露出内连线上表面。进行第一次重分布制造工艺，形成第一导线图案于非导电层上以连接内连线。形成防护层于第一导线图案上方，且形成接触孔于防护层上。形成第二接触垫于防护层上，并经由接触孔连接第一导线图案。由透光载板下表面以激光照射缓冲层，让缓冲层汽化解离，使制作的中介层结构由透光载板上脱离。本发明的方法能够省下研磨程序的工时，且能制作厚度更薄且应力更低的超薄型中介层。

技术领域

本发明是关于一种中介层的制作方法，特别是一种不使用晶片基材的中介层制作方法。

背景技术

随着集成电路的线路图案缩小至数十纳米的尺寸，所制作的晶片整合了更多的运算功能以及数目更多的晶体管元件，使得信号接脚(I/O)的数量也急剧倍增，连带也使得传统晶片封装技术遭遇极为严苛的挑战。

例如，现有技术中利用打线技术(wire bonding)进行封装的方式，由于封装结构所需的导线数目大增，而造成打线难度增高，并且因为多重连线电阻的增加，导致晶片发生严重的散热问题。此外，现有技术中的覆晶封装(Flip chip)技术，由于只能进行单层晶片的封装，也无法应付封装晶片数目遽增的信号接脚。

因此，在目前快速发展中的2.5D与3D封装技术中，广泛的使用中介层(interposer)来作为晶片与印刷电路板之间的连接桥梁。常见的中介层其制作程序，包括了晶片基板的薄化、钻孔、以及填充导电材料等过程。其中，为了让原本厚度大约600～700微米的晶片基板，能降低厚度到25～200微米，会采用化学机械研磨法对晶片基板的背面进行研磨，以降低其厚度。由于需要移除相当厚度的晶片基板，因此会耗费相当长的时间。并且，也可能会造成研磨后的晶片基板，产生局部或整体厚度不均的缺陷，或是造成晶片边缘损伤等问题，而导致产品良品率降低。

此外，由于研磨后的晶片基板相当薄，因此后续要对薄化的晶片基板进行加工也相对困难，发生晶片基板破片的机率大增。在现有技术中，会采用暂时性贴合(TemporaryBonding)的技术，通过粘胶或是静电吸附的方式，将薄化后的晶片基板贴附于一载具上再进行加工，藉由载具的承载来提供晶片基板足够的支撑。但即便如此，如果研磨后的晶片基板厚度过薄，仍然容易在后续制造工艺中发生破裂。并且，由于所使用的粘胶只能耐受摄氏200度左右的温度，因此无法在高温炉管中加工，也无法进行高温回火的制造工艺。再加上彼此粘贴的晶片基板与载具并非一体成形，在温度较高的环境中也容易发生爆裂。

考虑到上述情形，本案发明人乃希望能提供一种不采用晶片基板的中介层制作方法，以便能有效的解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种无晶片基板的中介层制作方法，以解决现有技术中的一项或多项缺失。

本发明提供一种无晶片基板的中介层制作方法。首先，提供一透光载板。接着，形成一缓冲层于透光载板上表面。形成第一接触垫于缓冲层上，并且形成内连线于第一接触垫上表面。随后，形成一非导电层于缓冲层上，并填充于相邻的内连线之间，其中所形成的非导电层会曝露出内连线上表面。然后，进行第一次重分布制造工艺，形成第一导线图案于非导电层上表面，以连接内连线。再形成一防护层于第一导线图案上方，并且形成接触孔于防护层上。随后，形成第二接触垫于防护层上表面，并经由接触孔电连接第一导线图案。接着，由透光载板下表面以激光照射缓冲层，让缓冲层汽化解离，使所制作的中介层结构由透光载板上表面脱离。

在一实施例中，上述透光载板是由石英玻璃、硼硅玻璃、钠硅玻璃或蓝宝石玻璃构成。