[发明专利]一种闪存纠错方法和装置有效

专利信息
申请号: 201510852721.X 申请日: 2015-11-30
公开(公告)号: CN106816179B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 曾雁星;沈建强;王工艺 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马爽;黄健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 闪存 纠错 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种闪存纠错方法,其特征在于,包括:

在对采用第n读电压阈值读取的闪存页数据进行纠错译码失败后,采用第n+1读电压阈值读取闪存页的数据,所述第n+1读取电压阈值与所述第n读电压阈值不同,n为大于等于1的正整数;

确定所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据和采用第m读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中的第一数据位,所述第一数据位为所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中与所述采用第m读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中相同数据位对应的数据不同的数据位,m为大于等于1且小于等于n的正整数;

降低所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中的所述第一数据位的可信度,所述可信度为所述第一数据位对应的置信度的绝对值;

根据调整后的所述第一数据位的可信度,对所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据进行纠错译码。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:

确定所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据和所述采用第m读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中的第二数据位,所述第二数据位为所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中与所述采用第m读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中相同数据位对应的数据相同的数据位;

提高所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中的所述第二数据位的可信度。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述确定所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据和所述采用第m读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中的第一数据位,包括:

将所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据和所述采用第m读电压阈值读取所述闪存页得到的数据进行异或运算得到联合数据;

若所述联合数据中的数据位的值为1,则确定该数据位为所述第一数据位。

4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,根据调整后的所述第一数据位的可信度,对所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据进行纠错译码之后,还包括:

若纠错译码成功,

则将所述第n+1读电压阈值修改为预设读电压阈值;

若纠错译码不成功,

则确定第n+2读电压阈值,对所述采用第n+2读电压阈值读取所述闪存页得到的数据进行可信度调整和纠错译码。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述采用第n+1读电压阈值读取闪存页的数据包括:

确定所述n+1的值不大于预设阈值,采用第n+1读电压阈值读取闪存页的数据。

6.根据权利要求1、2、5中任一项所述的方法,其特征在于,所述根据调整后的所述第一数据位的可信度,对所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据进行纠错译码,包括:

采用低密度奇偶校验码LDPC对所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据进行纠错译码。

7.一种闪存纠错装置,其特征在于,包括:

读取模块,用于在对采用第n读电压阈值读取的闪存页数据进行纠错译码失败后,采用第n+1读电压阈值读取闪存页的数据,所述第n+1读取电压阈值与所述第n读电压阈值不同,n为大于等于1的正整数;

确定模块,用于确定所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据和采用第m读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中的第一数据位,所述第一数据位为所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中与所述采用第m读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中相同数据位对应的数据不同的数据位,m为大于等于1且小于等于n的正整数;

可信度调整模块,用于降低所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中的所述第一数据位的可信度,所述可信度为所述第一数据位对应的置信度的绝对值;

译码模块,用于根据调整后的所述第一数据位的可信度,对所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据进行纠错译码。

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