[发明专利]一种闪存纠错方法和装置

说明书

本发明提供一种闪存纠错方法和装置，包括：确定采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据和采用第m读电压阈值读取闪存页得到的数据中的第一数据位，第一数据位为采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据中与采用第m读电压阈值读取闪存页得到的数据中相同数据位对应的数据不同的数据位，进而降低采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据中的第一数据位的可信度；根据调整后的第一数据位的可信度，对采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据进行纠错译码。其中，联合使用两次读取的同一闪存页得到的数据，降低数据位不同的数据对应的数据位的可信度，从而有效提高了纠错译码的成功率，使得SSD存储系统的性能大幅提升。

技术领域

本发明涉及计算机技术，尤其涉及一种闪存纠错方法和装置。

背景技术

随着闪存技术的不断成熟，其被广泛应用于固态存储领域。但是闪存中保存的数据，可能存在若干比特位的错误，如果直接将闪存物理页中读出的数据返回给上层业务，就可能造成业务失败。

为了保证返回给上层业务的数据是正确有效的，需要对业务数据进行错误检查和纠正(Error Correcting Code，简称为：ECC)保护，即对业务数据进行ECC编码，然后将ECC编码后的数据写入闪存。每当读取数据时，对从闪存中读取出来的数据进行错误检查和纠正，从而提升业务数据的可靠性。

但ECC保护的纠错能力有一定的范围，只能在页面数据中出现比特位错误数量不超过一定的上限时才有效。如果所读取的介质颗粒中发生错误的比特的个数超过了ECC纠错码的纠错能力，则纠错码将无法恢复原始存储的数据信息，导致存储信息的丢失。

为了避免存储信息的丢失，现有技术中常用的解决方案是Read retry，即如果用默认的读电压阈值读取介质颗粒的状态后用纠错码无法恢复原始信息时，通过调整读电压阈值，再次进行读取介质颗粒的状态并用纠错码恢复原始信息的机制。

现有技术需要多次调整读电压阈值进行尝试性的读取数据，从而造成了读时延的成倍增加(通常从微秒量级增加到毫秒量级)，导致SSD存储系统性能的大幅降低。

发明内容

本发明实施例提供一种闪存纠错方法和装置，以克服现有技术中由于读时延的成倍增加而导致的SSD存储系统大幅降低的问题。

第一方面，本发明实施例提供一种闪存纠错方法，包括：步骤101：在对采用第n读电压阈值读取的闪存页数据进行纠错译码失败后，采用第n+1读电压阈值读取闪存页的数据，其中，第n+1读取电压阈值与第n读电压阈值不同，n为大于等于1的正整数；步骤102：确定采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据和采用第m读电压阈值读取闪存页得到的数据中的第一数据位，第一数据位为采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据中与采用第m读电压阈值读取闪存页得到的数据中相同数据位对应的数据不同的数据位，m为大于等于1且小于等于n的正整数；步骤103：降低采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据中的第一数据位的可信度，可信度为第一数据位对应的置信度的绝对值；步骤104：根据调整后的第一数据位的可信度，对采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据进行纠错译码。

在本实施例中，联合使用两次读取的同一闪存页得到的数据，降低数据位不同的数据对应的数据位的可信度，从而有效提高了纠错译码的成功率，减小了读时延，使得SSD存储系统的性能大幅提升。

在前述第一方面的一些实施例中，还可以包括：确定采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据和采用第m读电压阈值读取闪存页得到的数据中的第二数据位，第二数据位为采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据中与采用第m读电压阈值读取闪存页得到的数据中相同数据位对应的数据相同的数据位；然后，提高采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据中的第二数据位的可信度。