[发明专利]一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法在审
| 申请号： | 201510853484.9 | 申请日： | 2015-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN105355521A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 李镇江;宋冠英;孟阿兰;马凤麟;张栋梁 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J19/24;C01B31/36;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人： | 万桂斌 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发射 性能 掺杂 sic 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于将SiC纳米线置于管式炉中，对管式炉抽真空至100Pa，通入纯度为99.8％的氨气至炉内气压约为103kPa，启动加热装置，以10℃/min的升温速率将炉温升至700～900℃，保温160～220min，对SiC纳米线进行掺氮处理，关闭通气阀门，停止通入氨气，关闭电源，随炉冷却至室温，实现提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛科技大学，未经青岛科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510853484.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种随温度成正比活塞调控球形罐出水量装置
- 下一篇：新型花盆
