[发明专利]一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备

权利要求书

1.一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：

(1)玻碳电极预处理：将玻碳电极依次用0.2μm、0.02μmAl₂O₃粉末进行表面抛光，然后用二次蒸馏水超声清洗，再用无水乙醇洗涤数次，用氮气吹干，将电极浸泡在含质量百分浓度为30～35％的γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷的无水乙醇溶液中，温度升至45±2℃浸泡100～120min，取出后，用无水乙醇洗涤数次，干燥，得到预处理玻碳电极；

(2)纳米铂修饰玻碳电极的制备：将步骤(1)制备的预处理玻碳电极放入0.15mol/L氯化铂水溶液中，室温下浸泡6～8h，取出后用去离子水洗涤，再放入质量百分浓度为30％的水合肼溶液中浸泡1h，取出后用去离子水洗涤，自然干燥，即得纳米铂修饰玻碳电极；

(3)双香豆素分子印迹聚合物的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基丙烯酸-1，4-丁二醇酯：15～25％，丙烯酰胺：2～8％，衣康酸：4～10％，乙腈：58～71％，偶氮二异庚睛：1.0～2.0％，双香豆素：1.0～3.0％，各组分含量之和为百分之百，搅拌溶解，通氮气除氧15min，氮气氛围，55～65℃搅拌反应6～8h，聚合完成后将悬浮物滤去，依次用高纯水、甲醇洗涤多次，真空干燥，即得双香豆素分子印迹聚合物；

(4)识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法：取适量的双香豆素分子印迹聚合物分散于0.5～08％的聚乙烯醇溶液中，制得22g/L的双香豆素分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液15μL滴加到步骤(2)制备的纳米铂修饰玻碳电极上，置于红外灯下，挥发干溶剂后，将其用甲醇与盐酸混合溶液浸泡6～8h，除去电极上的模板分子，即得识别双香豆素分子印迹电化学传感器。

2.根据权利要求1中所述的一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的二甲基丙烯酸-1，4-丁二醇酯：丙烯酰胺：衣康酸的摩尔比为3：1：1。

3.根据权利要求1中所述的一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的氮气氛围为通氮气除氧后氮气一直通入直到反应结束。

4.根据权利要求1中所述的一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述的聚乙烯醇的平均分子量在110000～130000之间。

5.根据权利要求1中所述的一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述甲醇与盐酸混合溶液的甲醇：盐酸体积比为20:1。

6.根据权利要求1中所述的一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法所制备的识别双香豆素分子印迹电化学传感器。