[发明专利]一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备有效
申请号: | 201510854447.X | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN105588866B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 李慧芝;李志英;朱学英 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250022 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 识别 双香豆素 分子 印迹 电化学传感器 制备 | ||
技术领域
本发明涉及的是一种分子印迹传感器的制备方法及快速检测应用技术领域,特别涉及一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法,具体是基于分子印迹特异性识别作用,用于检测药品、食品、生物样品中的双香豆素技术。
背景技术
香豆素衍生物是一类广泛存在于自然界中的重要杂环化合物,具有明显的抗凝结、抗癌症及抗HIV(Human Immunodeficiency Virus)等生物活性。香豆素衍生物中,有一部分是分子中含有两个香豆素单体的(即香豆素的二聚体),这类化合物称为双香豆素,双香豆素具有多种生物活性,双香豆素临床实用的抗凝血剂,今年来还发现双香豆素化合物可作为抗菌剂、HIV-1整合酶、尿酶和抗结核活性。所以准确识别双香豆素对确定药物活性十分重要。双香豆素的化学结构为香豆素的二聚体,其化学结构与维生素K相似,其分子式为C19H12O6,相对分子质量为336.30。双香豆素几乎不溶于水、乙醇、乙醚,溶于强碱溶液,熔点287~293℃。纯品白色或乳白色结晶粉末状。目前,检测双香豆素的方法主要有高效液相色谱、液相色谱-质谱,色谱法的准确度受到一定限制、而且仪器比较贵需要专业人员操作,也限制了其应用。另外,由于双香豆素类的衍生物的分子结构十分相近很难分开,测定时互相干扰,准确检测双香豆素很困难。因此,找到一种选择性好、灵敏度高、操作简便使用的检测双香豆素的方法十分重要。
分子印迹技术是当前开发具有分子识别功能的高选择性材料的主要方法之一,它是通过在模板分子周围形成一个高度交联的刚性高分子,除去模板分子后在分子印迹聚合物的网络结构中留下具有结合能力的识别位点,对模板分子表现出高选择识别性能的一种技术。这项技术以其构效预定性和特异识别性越来越受到人们的关注,已经成功用于固相萃取或微固相萃取,亲和色谱或毛细管电泳及传感器等领域。
依据此技术制备的分子印迹电化学传感器,应用于药物分析、环境保护及生命科学研究中起着十分重要的作用。将功能分子以适当方式修饰到电极上,制备选择性好、灵敏度高、有一定使用寿命可再生的电化学传感器成为分析科学工作者努力探索的课题。但是传统的印迹方法所制备的印迹膜厚度难以控制,高交联度使得电子传递速度和响应慢、检测下限高而且再生和可逆性差,影响分子印迹技术在电化学传感器中的应用。因此,建立一种灵敏、快速、简便、特异性高、重复性好经济使用的检测方法,对研究人员、生产企业、质控人员、政府管理部门等的迫切需要的,对食品、药品、环境安全中的双香豆素含量准确定量测定十分必要,对于香豆素生产和药理研究也具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的是将分子印迹与电化学传感器相结合,提供了一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法,主要是以双香豆素为模板,在玻碳电极表面通过硅烷偶联剂、纳米铂粒子的修饰,提高了传感器的灵敏度,采用滴涂法制备双香豆素分子印迹电化学传感器。
仪器与试剂
CHI660B电化学工作站(上海辰华仪器公司),实验采用三电极体系:铂丝电极为辅助电极,Ag/AgCl为参比电极(SCE),玻碳电极(GCE)为工作电极;KQ-250E型超声波清洗器;
γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷;无水乙醇;二甲基丙烯酸-1,4-丁二醇酯、丙烯酰胺、衣康酸;偶氮二异庚睛,乙腈,双香豆素;氯化铂、水合肼、聚乙烯醇;磷酸缓冲溶液;所用试剂均为分析纯,实验用水为二次蒸馏水。
本发明的目的通过如下技术方案实现。
一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法,特征在于该方法具有以下工艺步骤:
(1)玻碳电极预处理:将玻碳电极依次用0.2μm、0.02μmAl2O3粉末进行表面抛光,然后用二次蒸馏水超声清洗,再用无水乙醇洗涤数次,用氮气吹干,将电极浸泡在含质量百分浓度为30~35%的γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷的无水乙醇溶液中,温度升至45±2℃浸泡100~120 min,取出后,用无水乙醇洗涤数次,干燥,得到预处理玻碳电极;
(2)纳米铂修饰玻碳电极的制备:将步骤(1)制备的预处理玻碳电极放入0.15mol/L氯化铂水溶液中,室温下浸泡6~8h,取出后用去离子水洗涤,再放入质量百分浓度为30%的水合肼溶液中浸泡1 h,取出后用去离子水洗涤,自然干燥,即得纳米铂修饰玻碳电极;
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