[发明专利]晶片的生成方法

权利要求书

1.一种晶片的生成方法，从六方晶单晶锭生成晶片，该六方晶单晶锭具有：第一面和位于该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面的c轴；以及与该c轴垂直的c面，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：

分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距该第一面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该六方晶单晶锭相对地移动而对该第一面照射该激光束，形成与该第一面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕而形成分离起点；以及

晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该六方晶单晶锭剥离而生成六方晶单晶晶片，

该分离起点形成步骤包含如下的步骤：

改质层形成步骤，该c轴相对于该第一面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在该第一面和该c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层；以及

转位步骤，在形成该偏离角的方向上使该聚光点相对地移动而转位规定的量，

该改质层形成步骤包含如下的步骤：

第一分离起点形成步骤，将激光束的聚光点定位在距该第一面相当于要生成的晶片的厚度的深度的2以上整数倍的深度而形成由第一改质层和第一裂痕构成的第一分离起点；以及

第二分离起点形成步骤，在实施了该第一分离起点形成步骤之后，将激光束的聚光点定位在从该第一分离起点起向该第一面的方向减去相当于要生成的晶片的厚度的深度而得到的第二深度而形成由第二改质层和第二裂痕构成的第二分离起点。

2.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，

六方晶单晶锭从SiC锭或者GaN锭中进行选择。