[发明专利]一种新型LED芯片的互联结构及其制作方法

权利要求书

1.一种新型LED芯片的互联结构，其特征在于：包括衬底（10），所述衬底（10）上设置有至少两块LED芯片，所述LED芯片包括依次设置在衬底（10）上的N型半导体层（20）、发光层（30）和P型半导体层（40），其中N型半导体层（20）部分暴露在发光层（30）外，所述N型半导体层（20）的暴露区上设置有N电极（52），P型半导体层（40）表面设置有P电极（51），所述衬底（10）上表面和LED芯片外涂抹有透明绝缘的光刻胶，并通过光刻工艺形成光阻层（60），所述光阻层（60）上设置有使P电极（51）和N电极（52）外露的缺口，所述光阻层（60）表面蒸镀有金属导线层（70），所述金属导线层（70）两端分别连接不同的LED芯片上的电极。

2.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片的互联结构，其特征在于：所述金属导线层（70）一端连接P电极（51），另一端连接N电极（52）。

3.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片的互联结构，其特征在于：所述衬底（10）上方设置有用于分隔LED芯片的绝缘的芯片隔离带。

4.一种制作权利要求1至3任一所述的LED芯片互联结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、准备一衬底（10），在衬底（10）上方依次设置N型半导体层（20）、发光层（30）、P型半导体层（40），通过刻蚀工艺暴露部分N型半导体层（20）和形成绝缘的芯片隔离带，芯片隔离带通过干刻腐蚀到衬底（10）表面，得到多个由芯片隔离带分隔的LED芯片；

S2、在N型半导体层（20）暴露区设置N电极（52），P型半导体层（40）上表面设置P电极（51）；

S3、通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在衬底（10）、芯片隔离带和LED芯片外，形成光阻层（60），采用显影液把P电极（51）和N电极（52）上方的光阻层（60）刻蚀，使P电极（51）和N电极（52）暴露出来；

S4、在光阻层（60）上蒸镀金属导线层（70），金属导线层（70）的两端分别连接不同的LED芯片上的电极。

5.一种制作权利要求1至3任一所述的LED芯片互联结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

T1、准备一衬底（10），在衬底（10）上方依次设置N型半导体层（20）、发光层（30）、P型半导体层（40），通过刻蚀工艺暴露部分N型半导体层（2）和形成绝缘的芯片隔离带，芯片隔离带通过干刻腐蚀到衬底（10）表面，得到多个由芯片隔离带分隔的LED芯片；

T2、通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在衬底（10）、芯片隔离带和LED芯片外，形成光阻层（60），采用显影液把N型半导体层（20）暴露区和P型半导体层（40）上表面的部分光阻层（60）刻蚀掉，使N型半导体层（20）和P型半导体层（40）暴露出来；

T3、在暴露出来的N型半导体层（20）上设置N电极（52），P型半导体层（40）上设置P电极（51）；

T4、在光阻层（60）上蒸镀金属导线层（70），金属导线层（70）的两端分别连接不同的LED芯片上的电极。