[发明专利]一种新型LED芯片的互联结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED领域，具体涉及一种新型LED芯片的互联结构及其制作方法。

背景技术

LED发光芯片具有体积小、能耗低、寿命长以及环保等优点，广泛应用于照明领域。LED芯片的主体是一个发光PN结，主要由N型半导体、发光层和P型半导体组成，所述N型半导体和P型半导体上分别设置有金属电极。现有的LED芯片一般在发光PN结外覆盖一层钝化层（SiO₂层），起保护作用，光阻层（由光刻胶形成）设置在钝化层外。由于现有的LED芯片在制作过程中需要分别添加钝化层和光阻层，之后还需对金属电极上方的光阻层和钝化层分别进行蚀刻，使金属电极外露，工序繁琐，制作麻烦，增加成本，同时，当多个LED芯片通过金属导线连接时，串联用的金属导线蒸镀在钝化层上，由于SiO₂的附着力低，容易使金属导线脱离并断开，影响LED芯片之间的连接；此外，由于SiO₂是硬性材料，抗冲击、抗压的能力较差，钝化层不能很好起到保护作用。

发明内容

为克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种新型LED芯片的互联结构，利用软性材料的光刻胶取代钝化层对LED芯片的主体进行保护，同时承托蒸镀的金属导线层；此外，本发明还提供了制作上述新型LED芯片的互联结构的方法。

本发明为解决其技术问题采用的技术方案是：

一种新型LED芯片的互联结构，包括衬底，所述衬底上设置有至少两块LED芯片，所述LED芯片包括依次设置在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中N型半导体层部分暴露在发光层外，所述N型半导体层的暴露区上设置有N电极，P型半导体层表面设置有P电极，所述衬底上表面和LED芯片外涂抹有透明绝缘的光刻胶，并通过光刻工艺形成光阻层，所述光阻层上设置有使P电极和N电极外露的缺口，所述光阻层表面蒸镀有金属导线层，所述金属导线层两端分别连接不同的LED芯片上的电极。

作为上述技术方案的进一步改进，所述金属导线层一端连接P电极，另一端连接N电极。

作为上述技术方案的进一步改进，所述衬底上方设置有用于分隔LED芯片的绝缘的芯片隔离带，所述芯片隔离带用绝缘光刻胶填充，起到分隔LED芯片的作用。

本发明提供了一种制作上述LED芯片互联结构的方法，，包括以下步骤：

S1、准备一衬底，在衬底上方依次设置N型半导体层、发光层、P型半导体层，通过刻蚀工艺暴露部分N型半导体层和形成绝缘的芯片隔离带，芯片隔离带通过干刻腐蚀到衬底表面，得到多个由芯片隔离带分隔的LED芯片；

S2、在N型半导体层暴露区设置N电极，P型半导体层上表面设置P电极；

S3、通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在衬底、芯片隔离带和LED芯片外，形成光阻层，采用显影液把P电极和N电极上方的光阻层刻蚀，使P电极和N电极暴露出来；

S4、在光阻层上蒸镀金属导线层，金属导线层的两端分别连接不同的LED芯片上的电极。

本发明还提供了另一种制作上述LED芯片互联结构的方法，包括以下步骤：

T1、准备一衬底，在衬底上方依次设置N型半导体层、发光层、P型半导体层，通过刻蚀工艺暴露部分N型半导体层和形成绝缘的芯片隔离带，芯片隔离带通过干刻腐蚀到衬底表面，得到多个由芯片隔离带分隔的LED芯片；

T2、通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在衬底、芯片隔离带和LED芯片外，形成光阻层，采用显影液把N型半导体层暴露区和P型半导体层上表面的部分光阻层刻蚀掉，使N型半导体层和P型半导体层暴露出来；

T3、在暴露出来的N型半导体层上设置N电极，P型半导体层上设置P电极；

T4、在光阻层上蒸镀金属导线层，金属导线层的两端分别连接不同的LED芯片上的电极。

本发明的有益效果是：

本发明采用透明绝缘的光阻层直接覆盖LED芯片，金属导线层蒸镀在光阻层上，由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，易填充在LED芯片之间的空间，形成良好的支撑面，能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高，且具备一定的粘附力，能很好的粘附金属导线层。此外，光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO₂更为优秀，光阻层取代钝化层能更好的起到保护作用；光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。

附图说明

以下结合附图和实例作进一步说明。