[发明专利]一种半导体结构激光剥离方法

权利要求书

1.一种半导体结构激光剥离方法，其特征在于，包括：

提供第一工作平台，所述第一工作平台包括用于放置器件的工作表面,且所述工作表面设置有若干凸起机构；

提供待剥离的半导体结构，所述半导体结构具有凹凸不平的下表面及相对于所述下表面的上表面；

将所述半导体结构放置于所述第一工作平台上，所述第一工作平台上设置的所述若干凸起机构支撑所述半导体结构的下表面，使所述若干凸起机构与所述半导体结构的具有凹凸不平的下表面契合，以使所述半导体结构的上表面实质上处于水平面上；以及

对所述半导体结构的所述上表面进行激光剥离工艺。

2.根据权利要求1所述的半导体结构激光剥离方法，其特征在于，所述半导体结构包括：

一大板玻璃基板；以及

聚酰亚胺薄膜和封装薄膜,依序设置于所述大板玻璃基板的表面；以及

阻水氧薄膜,设置于所述封装薄膜表面,所述阻水氧薄膜使所述半导体结构具有凹凸不平的所述下表面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构激光剥离方法,其特征在于,对所述半导体结构的所述上表面进行激光剥离步骤包括：

利用激光对所述大板玻璃基板进行剥离。

4.根据权利要求2所述的半导体结构激光剥离方法，其特征在于，所述大板玻璃基板设置有外引线焊接区及邻接所述外引线焊接区的封装区，以及

所述阻水氧薄膜覆盖所述封装薄膜位于所述封装区的表面，并将所述封装薄膜位于所述外引线焊接区的表面予以暴露，以形成所述半导体结构的具有凹凸不平的表面。

5.根据权利要求2所述的半导体结构激光剥离方法，其特征在于，所述半导体结构的阻水氧薄膜乃于一第二工作平台上施作,其中所述第二工作平台为封装压合设备内的工作平台。

6.根据权利要求2所述的半导体结构激光剥离方法，其特征在于，以转贴的方式依次将所述聚酰亚胺薄膜和所述封装薄膜贴附至所述大板玻璃基板的表面上。

7.根据权利要求1所述的半导体结构激光剥离方法，其特征在于，所述激光剥离工艺还包括：

于剥离后的半导体结构上贴附支撑薄膜。

8.根据权利要求1所述的半导体结构激光剥离方法，其特征在于，所述若干凸起机构的材质与所述第一工作平台的材质相异。

9.根据权利要求8所述的半导体结构激光剥离方法，其特征在于，所述若干凸起机构的材质为聚醚醚酮或聚四氟乙烯，所述第一工作平台的材质为铝镁合金材料。

10.根据权利要求1所述的半导体结构激光剥离方法，其特征在于，所述第一工作平台为镭射激光剥离设备中的工作平台。