[发明专利]一种半导体结构激光剥离方法有效

申请号：	201510869126.7	申请日：	2015-12-01
公开（公告）号：	CN106816387B	公开（公告）日：	2019-06-25
发明（设计）人：	吴正伟	申请（专利权）人：	上海和辉光电有限公司
主分类号：	H01L21/50	分类号：	H01L21/50;H01L21/56;B23K26/00
代理公司：	上海申新律师事务所 31272	代理人：	俞涤炯
地址：	201506 上海市金山区***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种半导体结构激光剥离方法
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【说明书】：

本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构激光剥离方法，在所述平台表面与所述外部键合点空隙相匹配的区域沉积有预定介质形成一填充区，将依次沉积有所述聚酰亚胺封装薄膜层、外部键合点的基板放置于所述平台上，使得所述外部键合点键合入所述填充区；外部键合点之间的空隙被预定介质填充，可以平整的放置于所述平台之上，基板表面处于同一水平位置上，去除基板准确率提高，另外因聚酰亚胺薄膜层表面平整，在贴附支撑性薄膜时，避免产生气泡，提高支撑性薄膜贴附的稳定性，提升产品成品率。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构激光剥离方法。

背景技术

在目前的阻挡层的贴附制程，若是长条或单一面板尺寸的阻挡层集材，则是先将大板玻璃切割成小的模组板后再进行镭射激光取下剥离；但是，因为此做法在模组段需要有较多的人力及镭射激光设备的需求，所以采用大板镭射激光设备不仅可降低设备及人力成本，并且也可以提生产线的效率。

现有的基于激光剥离技术的大板激光剥离工艺，通过以下技术方案实现。

如图1a～1c所示，现有的大板激光剥离工艺如下，如图1a所示，将大板玻璃2及聚酰亚胺薄膜层3贴附与封装压台设备内承载台1上，于所述聚酰亚胺薄膜层3表面旋转贴附一层保护层4，如图1b所示，将依次贴附有保护层4、聚酰亚胺薄膜层3的大板玻璃放置于激光剥离设备的承载台5上，通过镭射装置6将大板玻璃2与聚酰亚胺薄膜层3分离，去除大板玻璃层2，如图1c所示，于聚酰亚胺薄膜层3上端沉积有支撑性薄膜7。此种方式对全尺寸的面板的封装较简单，如图2a所示，但是对于设置有外部键合点4’长条状或单一尺寸面板的封装较困难，如图2b所示，在将长条状或单一尺寸面板传输至放置于激光剥离设备的承载台5上，因长条状或单一尺寸面板设置有外部键合点4’，复数个外部键合点4’之间存在有间隙，进而使得面板不能完全平整(面板与承载台之间是点接触，面板底部受力不均，进而出现表面不平整现象)的设置承载台5上，进而导致镭射装置剥离过程中，出现激光镭射不稳定的现象，造成成品率下降，另外因聚酰亚胺薄膜层3表面不平整，在贴附支撑性薄膜7时，容易在支撑性薄膜表面形成气泡，导致支撑性薄膜贴附的稳定性下降，导致成品率降低。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种针对条状或单一尺寸面板封装的半导体结构激光剥离方法。

一种半导体结构激光剥离方法，其中，包括：

提供第一工作平台，且所述第一工作平台包括用于放置器件的工作表面,且所述工作表面设置有若干凸起机构；

提供待剥离的半导体结构，所述半导体结构具有凹凸不平的下表面及相对于所述下表面的上表面；

将所述半导体结构放置于所述第一工作平台上，所述第一工作平台上设置的所述若干凸起机构支撑所述半导体结构的下表面，使所述若干凸起机构与所述半导体结构的具有凹凸不平的下表面契合，以使所述半导体结构的上表面处于水平面上；以及

对所述半导体结构的所述上表面进行激光剥离工艺。

优选地，上述的半导体结构激光剥离方法，其中，所述半导体结构包括：

一大板玻璃基板；以及

聚酰亚胺薄膜和封装薄膜,依序设置于所述大板玻璃基板的表面；以及

阻水氧薄膜,设置于所述封装薄膜表面,所述阻水氧薄膜使所述半导体结构具有凹凸不平的所述下表面。

优选的，上述半导体结构激光剥离工艺，其中，对所述半导体结构的所述上表面进行激光剥离步骤包括：