[发明专利]形成双大马士革结构的方法、等离子体刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510871162.7 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106811752B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 孙超;吴紫阳;王兆祥 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;H01L21/3065;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体刻蚀 光刻胶图案 硅介质层 双大马士革结构 硬掩膜材料 连接孔 去除 开口 射频源功率 反应气体 聚合气体 开口形状 脉冲方式 偏置功率 射频 施加 | ||
1.一种形成双大马士革结构的方法，包括：
在含硅介质层内形成连接孔；
在含硅介质层的上方及连接孔内形成硬掩膜材料；
在硬掩膜材料的上方形成光刻胶图案，所述光刻胶图案的开口形状与待形成的沟槽的形状相对应，所述连接孔位于所述光刻胶图案的开口内；
去除含硅介质层表面的硬掩膜材料；
以等离子体刻蚀的方式去除光刻胶图案开口内的部分含硅介质层和连接孔中的硬掩膜材料，以形成沟槽；在该等离子体刻蚀过程中，以脉冲方式施加射频偏置功率和射频源功率，在每个脉冲中包括刻蚀阶段与聚合阶段，提供的反应气体包括作为聚合气体的COS。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述硬掩膜材料包括无定形碳。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述含硅介质层包括掺氟硅玻璃、无掺杂的氧化硅或Low-K材料。
4.如权利要求1所述的方法，其中，射频偏置功率和射频源功率的脉冲同步。
5.如权利要求4所述的方法，其中，脉冲的频率为300 Hz～5000Hz。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体刻蚀过程包括多个循环往复的周期，在刻蚀阶段，含硅介质层被去除的厚度大于硬掩膜材料被去除的厚度，在聚合阶段，覆盖在含硅介质层的保护层的厚度大于覆盖在硬掩膜材料的保护层的厚度。
7.如权利要求6所述的方法，其中，在每一周期内，刻蚀阶段占整个周期的时间比保持在10%～90%。
8.如权利要求7所述的方法，其中，需要加强抑制栅栏缺陷时，将刻蚀阶段所占的时间调小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510871162.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
