[发明专利]封装基板以及LED倒装封装结构

说明书

本发明涉及一种封装基板，其包括：绝缘基板、间隔设置在绝缘基板的第一表面上的第一和第二焊垫、间隔设置在绝缘基板的与第一表面相对的第二表面上的第一和第二电极，第一焊垫和第二焊垫分别与第一电极和第二电极电连接。再者，绝缘基板的第一表面设置有第一和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽相互间隔且位于第一焊垫和第二焊垫之间。本发明还涉及一种包括前述封装基板、LED倒装芯片以及荧光胶的LED倒装封装结构。本发明通过在绝缘基板表面的焊垫分隔处新增沟槽作为回流焊工艺中焊锡熔化后流动的缓冲空间，因此可以改善短路现象的发生。

技术领域

本发明涉及倒装芯片封装技术领域，特别涉及一种封装基板以及一种LED倒装封装结构。

背景技术

由于LED倒装芯片的正极(P极)与负极(N极)之间的距离约为75～150微米(μm)，因此在已知的倒装芯片工艺使用的陶瓷封装基板设计中，在固晶后进行回流焊时和/或当LED倒装封装结构在后端SMT(Surface Mounted Technology，表面贴装技术)工艺的二次回流焊时，容易会有因焊锡熔化流动造成短路现象发生，造成死灯现象。

具体地，如图1所示，其为已知的一种LED倒装封装结构的示意图。如图1所示，LED倒装封装结构10包括：陶瓷基板11、焊垫12a,12b、金属填充孔13、电极14a,14b、LED倒装芯片15、碗杯结构18以及荧光胶19。其中，焊垫12a,12b相互间隔地设置在陶瓷基板11的上表面，电极14a,14b相互间隔地设置在陶瓷基板11的下表面，焊垫12a,12b通过金属填充孔13分别与电极14a,14b形成电连接。LED倒装芯片15设置有正极151和负极153，且正极151和负极153分别通过焊锡16与焊垫12a,12b形成电连接。碗杯结构18位于陶瓷基板11的上表面且环绕LED倒装芯片15设置。荧光胶19设置在碗杯结构18内且覆盖所述LED倒装芯片。

请参见图2，其为图1所示LED倒装封装结构中的焊垫部分的显微镜照片。结合图1和图2可以发现，由于焊垫12a,12b之间的距离较小，焊锡16在进行回流焊过程中，会因熔化流动至焊垫12a和焊垫12b之间的区域而导致焊垫12a和焊垫12b电连接在一起，造成如图2所示的短路现象。

发明内容

因此，针对前述相关技术中的缺陷和不足，本发明提出一种封装基板以及一种LED倒装封装结构。

具体地，本发明实施例提出的一种封装基板，包括绝缘基板、间隔设置在所述绝缘基板的第一表面上的第一焊垫和第二焊垫、间隔设置在所述绝缘基板的与所述第一表面相对的第二表面上的第一电极和第二电极，所述第一焊垫和所述第二焊垫分别与所述第一电极和所述第二电极电连接；其特征在于，所述绝缘基板的所述第一表面设置有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽相互间隔且位于所述第一焊垫和所述第二焊垫之间。

在本发明的一个实施例中，所述第一沟槽和所述第二沟槽中每一者的深度位于20～30微米范围内。

在本发明的一个实施例中，所述第一沟槽和所述第二沟槽中每一者包括主体部和自所述主体部侧向延伸的延伸部。

在本发明的一个实施例中，所述延伸部大致为圆形。

在本发明的一个实施例中，所述第一沟槽为正L型和倒L型中之一者，且所述第二沟槽为所述正L型和所述倒L型中之另一者。

在本发明的一个实施例中，所述第一沟槽与所述第二沟槽的间距为所述第一焊垫与所述第二焊垫的间距的10％～50％。

在本发明的一个实施例中，所述第一沟槽的长度大致为所述第一焊垫邻近所述第一沟槽的一个侧边的长度的95％，所述第二沟槽的长度大致为所述第二焊垫邻近所述第二沟槽的一个侧边的长度的95％。

在本发明的一个实施例中，所述第一沟槽和所述第二沟槽中每一者的深度为所述绝缘基板的厚度的10％～15％。