[发明专利]一种含Co型超超临界机组用钢原奥氏体晶界的显示方法

权利要求书

1.一种含Co型超超临界机组用钢原奥氏体晶界的显示方法，其特征在于：首先对含Co型超超临界机组用钢试样进行研磨—抛光，直至表面光亮，然后选取化学腐蚀剂进行预先化学腐蚀，再选取电解液对试样施加电解电压进行电解浸蚀，最后结合清水机械抛光方法，以最终清晰地显示原奥氏体晶粒晶界；

所述化学腐蚀剂为饱和苦味酸水溶液，电解液为稀硫酸；

所述含Co型超超临界机组用钢的合金成分按重量百分数计，含C：0.10～0.14；Si：0.20～0.40；Mn：0.40～1.20；Co：0.5～3.5；P：≤0.020；S：≤0.010；Cr：8.50～10.50；Mo：1.40～1.60；V：0.18～0.25；N：0.015～0.03；Ni：0.1～0.3；Nb：0.05～0.08；Al≤0.02；B≤0.03；Fe：余量。

2.按照权利要求1所述含Co型超超临界机组用钢原奥氏体晶界的显示方法，其特征在于：预先化学腐蚀的时间为60～120s，用清水冲洗干净后经酒精冲洗吹干。

3.按照权利要求1所述含Co型超超临界机组用钢原奥氏体晶界的显示方法，其特征在于：所述电解液是质量分数为4～8％的稀硫酸水溶液，电解浸蚀电压为10～20V，电流密度为0.8～1.6A/cm²，电解浸蚀的时间为120～240s。

4.按照权利要求1或3所述含Co型超超临界机组用钢原奥氏体晶界的显示方法，其特征在于：所述电解液是质量分数为6～6.5％的稀硫酸水溶液，电解浸蚀电压为15～17V，电流密度为1.2～1.5A/cm²，电解浸蚀的时间为150～200s。

5.按照权利要求1所述含Co型超超临界机组用钢原奥氏体晶界的显示方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)研磨—抛光

取含Co型超超临界机组用钢试样，将试样的待显示原奥氏体晶界面磨平后进行抛光处理，抛光至无划痕后经酒精冲洗吹干即可；

2)预先化学腐蚀

在抛光好的试样表面上覆盖饱和苦味酸水溶液，静置60～120s，用清水冲洗干净后经酒精冲洗吹干；

3)电解浸蚀

采用配置直流电流表和滑动电阻器的直流电压可控装置，将试样作为阳极，选择不锈钢薄片作为阴极，同时放入质量分数为4～8％的稀硫酸水溶液中；试样经预先化学腐蚀面正对着阴极不锈钢薄片，调节输出电压至10～20V，移动滑动变阻器使电流密度达到0.8～1.6A/cm²，保持通电时间为120～240s，使试样待显示原奥氏体晶界面由光亮变成灰暗；

4)机械抛光：将电解浸蚀后的试样置于转速为100～150转/分的抛光盘上，进行机械抛光2～4次；此时不再使用任何抛光膏，仅采用水作为润滑剂，并在每次抛光后把试样放到金相显微镜下观察，直至试样的原奥氏体晶粒晶界完全显示为止。