[发明专利]一种薄膜晶体管、制造方法及其液晶显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

形成一源极于一第一金属层，所述源极具有一斜面且电性耦接至一数据线；

形成一非晶硅层于所述源极的斜面；

形成一漏极于所述非晶硅层的上方，其中，所述漏极与所述非晶硅层相接触的表面平行于所述源极的斜面；

形成一第一钝化层于所述源极的上方以及所述漏极的上方；以及

形成一栅极于所述第一钝化层的上方，且所述栅极位于所述漏极的侧边，

其中，所述非晶硅层与所述第一金属层所在平面的夹角为锐角，且所述栅极与所述非晶硅层的接触面为尖角。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层还形成于所述栅极与所述漏极之间。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道长度由所述非晶硅层的厚度决定。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述非晶硅层的膜厚控制精度为0.1纳米。

5.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

一源极，形成于一第一金属层，所述源极具有一斜面且电性耦接至一数据线；

一非晶硅层，形成于所述源极的斜面；

一漏极，形成于所述非晶硅层的上方，其中，所述漏极与所述非晶硅层相接触的表面平行于所述源极的斜面；以及

一栅极，形成于一第一钝化层的上方，其中所述第一钝化层设置于所述源极的上方以及所述漏极的上方，所述栅极位于所述漏极的侧边，

其中，所述非晶硅层与所述第一金属层所在平面的夹角为锐角，且所述栅极与所述非晶硅层的接触面为尖角。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一钝化层还形成于所述栅极与所述漏极之间。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道长度由所述非晶硅层的厚度决定。

8.一种薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，该薄膜晶体管液晶显示器包括：

采用如权利要求1所述的制造方法所形成的一薄膜晶体管；

一平坦层，形成于所述薄膜晶体管的栅极的上方；

一图案化的第一导电层，形成于所述平坦层的上方；

一第二钝化层，形成于所述第一导电层的上方；以及

一图案化的第二导电层，形成于所述第二钝化层的上方。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道长度由所述非晶硅层的厚度决定。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层均为氧化铟锡材质。