[发明专利]一种薄膜晶体管、制造方法及其液晶显示器在审

申请号：	201510880684.3	申请日：	2015-12-03
公开（公告）号：	CN105355564A	公开（公告）日：	2016-02-24
发明（设计）人：	杨济纶;刘谦	申请（专利权）人：	友达光电股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/786;H01L29/10
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹科***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	一种薄膜晶体管制造方法及其液晶显示器
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管制程技术与液晶显示技术，尤其涉及一种可提升薄膜晶体管的沟道电流与增加开口率大小的薄膜晶体管以及包含该薄膜晶体管的液晶显示器。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)，诸如超视角高清晰显示器(AdvancedHyperViewingAngle，AHVA)，是多数液晶显示器的一种，其使用薄膜晶体管技术改善图像品质，主要被应用在诸如电视、平面显示器以及投影机上。

一般来说，常见的薄膜晶体管驱动分类主要有a-SiTFT(非晶硅)与LTPSTFT(低温多晶硅)。在此，采用IGZO技术的TFT就是非晶硅驱动中的一种。例如，利用IGZO技术制造薄膜晶体管的沟道层材料，可以使显示屏功耗较小，成本较低，且分辨率能够达到全高清(fullHD)乃至超高清(UltraDefinition，分辨率4k*2k)的级别程度。虽然这种IGZOTFT对可见光不敏感，在一定程度上增加了组件的开口率，提高了亮度并降低功耗。然而，在现有AHVA显示产品中，显示器的尺寸越来越大，分辨率越来越高，非晶硅驱动的薄膜晶体管也面临一些新的技术挑战，诸如，薄膜晶体管的尺寸较大会降低开口率、薄膜晶体管的沟道长度被黄光制程的极限尺寸(微米等级)所限制、RC负载递增将使得像素充电效率降低。

有鉴于此，如何设计一种新的薄膜晶体管制程，以避免现有黄光制程的极限尺寸限制，大幅地提升液晶显示器的开口率，从而消除现有技术中的上述缺陷或不足，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。

发明内容

针对现有技术的非晶硅型薄膜晶体管在提升开口率时所存在的上述局限，本发明提供了一种新颖的薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及包含该薄膜晶体管的液晶显示器。

依据本发明的一个方面，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：

形成一源极于一第一金属层，所述源极具有一斜面且电性耦接至一数据线；

形成一非晶硅层于所述源极的斜面；

形成一漏极于所述非晶硅层的上方，其中，所述漏极与所述非晶硅层相接触的表面平行于所述源极的斜面；

形成一第一钝化层于所述源极的上方以及所述漏极的上方；以及

形成一栅极于所述第一钝化层的上方，且所述栅极位于所述漏极的侧边，

其中，所述非晶硅层与所述第一金属层所在平面的夹角为锐角，且所述栅极与所述非晶硅层的接触面为尖角。

在其中的一实施例，所述第一钝化层还形成于所述栅极与所述漏极之间。

在其中的一实施例，所述薄膜晶体管的沟道长度(channellength)由所述非晶硅层的厚度决定。