[发明专利]低成本常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种低成本常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

①主原料准备，主原料包括以下重量百分比的组分：

②碳化硅浆料制备，将主原料和为主原料重量120％～280％的无水乙醇，去离子水为主原料重量1％～5％，分散剂为主原料重量1％～5％加入球磨机或砂磨机中，配制成固含量为30％～50％的碳化硅浆料；前述的分散剂采用固含量为41.5％～43.5％的水性钠盐分散剂；

③造粒，碳化硅浆料，采用喷雾干燥造粒机造粒碳化硅浆料，得到造粒粉，喷雾干燥条件：进口温度为145℃～195℃，喷头喷雾频率15Hz～25Hz，，出口温度为75℃～125℃；

④素坯获得，将造粒粉成型得到素坯；

⑤烧结，将素坯放入烧结炉中，通入氩气，在2200℃～2250℃温度下保温2h～4h完成常压烧结，得到碳化硅陶瓷。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤①所述的粗颗粒碳化硅粉纯度≥98％，碳化硅细粉纯度≥98％，碳化硼粉纯度≥95％，醇溶酚醛树脂固含量≥84％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤②中采用球磨制浆，条件如下：采用球径10mm～15mm碳化硅介质球，球料比3～4:1，球磨混料时间3～7小时，浆料pH值3～10，球磨机转速为180r/min～220r/min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤②中采用为分散剂为东亚合成株式会社出品的T-61分散剂。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤④中的素坯通过干压法成型或者冷等静压法成型获得。