[发明专利]SACVD腔室的清洁方法有效
| 申请号： | 201510881898.2 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN106835063B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 徐建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sacvd 清洁 方法 | ||
1.一种SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，包括：
提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座；
对所述SACVD腔室进行第一清洁，在所述第一清洁中，所述腔盖和所述加热基座的间距为第一间距；
进行第一清洁后，对所述SACVD腔室进行第二清洁，在所述第二清洁中，所述加热基座靠近SACVD腔室底部，所述腔盖和所述加热基座的间距为第二间距，所述第一间距比所述第二间距至少小2/3；
所述第一清洁采用的腔室压强为第一压强，所述第二清洁采用的腔室压强为第二压强，所述第一压强等于第二压强。
2.根据权利要求1所述的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，所述加热基座与SACVD腔室底部的间距大于0且小于等于400mil。
3.根据权利要求1的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，在第一清洁和第二清洁中，所述加热基座的温度为500摄氏度～560摄氏度。
4.根据权利要求1的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，在第一清洁和第二清洁中，所述SACVD腔室的压强范围为3torr～40torr。
5.根据权利要求1的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，所述第一清洁和第二清洁采用的清洁气体为氟等离子体。
6.根据权利要求5的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，所述氟等离子体的流量为4000sccm～6000sccm。
7.根据权利要求5的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，产生所述氟等离子体采用的气体为NF3，等离子体化功率为600瓦～1500瓦。
8.根据权利要求1所述的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，所述腔盖中具有孔状结构，在所述第二清洁中，对所述腔盖进行降温处理。
9.根据权利要求8所述的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，采用冷却循环水对所述腔盖进行降温处理。
10.根据权利要求9所述的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，降温处理后，所述腔盖的温度为200摄氏度～300摄氏度。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
