[发明专利]SACVD腔室的清洁方法

说明书

一种SACVD腔室的清洁方法，包括：提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座；对所述SACVD腔室进行第一清洁，在所述第一清洁中，所述腔盖和所述加热基座的间距为第一间距；进行第一清洁后，对所述SACVD腔室进行第二清洁，在所述第二清洁中，所述加热基座靠近SACVD腔室底部，所述腔盖和所述加热基座的间距为第二间距，所述第一间距小于所述第二间距。采用所述SACVD腔室的清洁方法，将所述SACVD腔室底部和腔壁的膜层清洁干净的同时降低了对腔壁的刻蚀损伤。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种SACVD腔室的清洁方法。

背景技术

亚常压化学气相沉积(SACVD)工艺指的是将反应气体在腔室内进行沉积反应时压强为500torr～600torr的一种化学气相沉积反应。亚常压化学气相沉积工艺具有较佳的阶梯覆盖能力和沟槽填充能力，且其反应过程为纯化学反应，不产生等离子体损伤。基于上述优点，亚常压化学气相沉积工艺被广泛应用于半导体制造工艺的前道工序FEOL(Front-End-Of-Line)中的沟槽填充，如浅沟槽隔离结构中对浅沟槽填充、以及形成层间介质层过程中沉积层间介质层。

利用SACVD沉积工艺沉积的膜层的物质为通常为二氧化硅，具体的，在次常压化学气相沉积(SACVD)的腔室中，利用臭氧和正硅酸乙酯(TEOS)在次常压条件下沉积形成二氧化硅。

在所述SACVD腔室中沉积所述膜层的过程中，容易产生颗粒(particle)，所述颗粒的存在使得形成的膜层的均匀性变差，或者影响后续沉积工艺中薄膜的质量，所述颗粒的来源主要是由于在沉积所述膜层的同时在SACVD腔室底部和腔壁、及腔盖表面也形成膜层，当SACVD腔室底部和腔壁及腔盖表面的膜层积累到一定程度时容易发生剥落(peeling)现象，从而产生particle。故需要定期清洁SACVD腔室。

现有技术中，将所述SACVD腔室底部和腔壁的膜层全部去除干净的同时对腔壁的刻蚀损伤大。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种SACVD腔室的清洁方法，将所述SACVD腔室底部和腔壁的膜层全部去除干净，且降低对腔壁的刻蚀损伤。

为解决上述问题，本发明提供一种SACVD腔室的清洁方法，包括：提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座；对所述SACVD腔室进行第一清洁，在所述第一清洁中，所述腔盖和所述加热基座的间距为第一间距；进行第一清洁后，对所述SACVD腔室进行第二清洁，在所述第二清洁中，所述加热基座靠近SACVD腔室底部，所述腔盖和所述加热基座的间距为第二间距，所述第一间距小于所述第二间距。

可选的，所述第一间距比第二间距至少小1/3。

可选的，所述加热基座与SACVD腔室底部的间距大于0且小于等于400mil。

可选的，在第一清洁和第二清洁中，所述加热基座的温度为500摄氏度～560摄氏度。

可选的，在第一清洁和第二清洁中，所述SACVD腔室的压强范围为3torr～40torr。

可选的，所述第一清洁和第二清洁采用的清洁气体为氟等离子体。

可选的，所述氟等离子体的流量为4000sccm～6000sccm。

可选的，产生所述氟等离子体采用的气体为NF₃，等离子体化功率为600瓦～1500瓦。

可选的，所述腔盖中具有孔状结构，在所述第二清洁中，对所述腔盖进行降温处理。

可选的，采用冷却循环水对所述腔盖进行降温处理。

可选的，降温处理后，所述腔盖的温度为200摄氏度～300摄氏度。