[发明专利]抗干扰厚膜混合集成电路的集成方法

权利要求书

1.抗干扰厚膜混合集成电路的集成方法，其特征是将金属与陶瓷的复合材料用作管基和管帽的材料，以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽要求，具体的集成方法是：在预先烧结成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面，采用涂覆金属浆料烧结或化学电镀的方式生长所需金属层，再进行半导体集成电路芯片和片式元器件的装贴、引线键合和封帽；这样，管基和管帽将陶瓷材料和金属材料二者有机结合，即实现从低频到高频的电磁屏蔽，使封装内外电磁环境达到良好的隔离，从而实现提高厚膜混合集成电路抗干扰能力的目的。

2.如权利要求1所述的方法，详细的工艺流程是：

陶瓷管基、陶瓷管帽、镀层材料的准备；

在陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面化学镀铬；

在陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面电镀金；

电镀后陶瓷管基、陶瓷管帽的清洗与烘干；

基片清洗与烘干；

在基片正面按设计图形要求进行厚膜导体浆料的印刷与烘干，烘干温度150℃，烘干时间10min；

在基片背面进行厚膜导体浆料的印刷与烘干，烘干温度150℃，烘干时间10min；

在基片正面按设计图形要求进行厚膜电阻浆料的印刷和烘干，烘干温度150℃，烘干时间10min；

成膜烧结，峰值温度850℃、峰值温度时间10min，总时间35min；

激光调阻；

参数及功能测试；

划片分离；

将厚膜基片组装到管基的底座上；

组装半导体芯片和片式元器件；

用硅-铝丝或金丝键合以完成半导体芯片的电路连接、基片与管脚的电路连接；

封帽；

性能测试；

老化筛选测试、密封性检查；

产品编号打印、包装入库。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述管帽金属层和管基金属层的金属是铬和金。