[发明专利]引线框架、半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

具有端子部的引线框架；

与所述端子部电连接的半导体芯片；以及

以露出所述端子部的一部分的方式密封所述半导体芯片的树脂部，

所述端子部具有在第1引线的顶面叠合第2引线的底面并熔接而成的结构，

在所述端子部的长边方向上，所述第2引线的底面比所述第1引线的顶面更向所述半导体芯片侧延伸，且，在所述端子部的短边方向上，所述第2引线的底面比所述第1引线的顶面更向两侧延伸，

在所述第1引线的底面的所述半导体芯片侧形成有阶差部，

在所述阶差部，形成有与所述第2引线熔接的连接部，

所述第2引线的底面的比所述第1引线的顶面更向外延伸的区域以及上述阶差部被所述树脂部覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述第2引线的所述半导体芯片侧的相反侧，形成有与所述第1引线熔接的第2连接部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

在所述第2引线的顶面的所述半导体芯片侧的相反侧，形成有第2阶差部，

在所述第2阶差部形成有所述第2连接部，

所述第2阶差部被所述树脂部覆盖。

4.根据权利要求1至3的任一项所述的半导体装置，其中，

在所述第1引线的底面的所述半导体芯片侧的相反侧，形成有第3阶差部，

在所述第3阶差部，形成有与所述第2引线熔接的第3连接部，

所述第3阶差部被所述树脂部覆盖。

5.一种引线框架，其中，

所述引线框架包括要进行单片化的多个区域，

所述区域分别具有端子部，

所述端子部具有在第1引线的顶面叠合第2引线的底面并熔接而成的结构，

在所述端子部的长边方向上，所述第2引线的底面比所述第1引线的顶面更向所述区域的中心侧延伸，且，在所述端子部的短边方向上，所述第2引线的底面比所述第1引线的顶面更向两侧延伸，

在所述第1引线的底面的所述中心侧形成有阶差部，

在所述阶差部，形成有与所述第2引线熔接的连接部。

6.根据权利要求5所述的引线框架，其中，

在所述第2引线的所述中心侧的相反侧，形成有与所述第1引线熔接的第2连接部。

7.根据权利要求6所述的引线框架，其中，

在所述第2引线的顶面的所述中心侧的相反侧，形成有第2阶差部，

在所述第2阶差部形成有所述第2连接部。

8.根据权利要求5至7的任一项所述的引线框架，

在所述第1引线的底面的所述中心侧的相反侧，形成有第3阶差部，

在所述第3阶差部，形成有与所述第2引线熔接的第3连接部。