[发明专利]引线框架、半导体装置

说明书

提供一种半导体装置等，其端子部与树脂部的紧密性更高。该半导体装置包括具有端子部的引线框架、与上述端子部电连接的半导体芯片、以露出上述端子部的一部分的方式密封上述半导体芯片的树脂部，上述端子部具有在第1引线的顶面叠合第2引线的底面并熔接而成的结构。在上述端子部的长边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向上述半导体芯片侧延伸，且，在上述端子部的短边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向两侧延伸，上述第2引线的底面的比上述第1引线的顶面更向外延伸的区域被上述树脂部覆盖。

技术领域

本发明涉及一种引线框架以及半导体装置。

背景技术

历来已有QFN(Quad Flat No Lead)等无引线的半导体装置。QFN式半导体装置中，例如通过半蚀刻形成由铜合金等构成的引线(端子部)。

然而，半蚀刻不仅在深度方向上，在宽方向上也会扩展，因此难以实现引线的细微化，妨碍引线的窄间距化以及多针化。对此，已有提案关于以2个引线叠层的方法代替半蚀刻来构成端子部的QFN式半导体装置。

<现有技术文献>

<专利文献>

专利文献1：(日本)特开2003-197845号公报

发明内容

<本发明要解决的课题>

然而，上述半导体装置中，由2个引线叠层而形成的端子部以及局部密封端子部的树脂部之间的紧密性不充分，被担忧可能会发生树脂剥离等问题。

本发明鉴于上述问题，其目的在于提供一种端子部与树脂部的紧密性更高的半导体装置等。

<解决上述课题的手段>

本半导体装置的必要条件为，其包括具有端子部的引线框架、与上述端子部电连接的半导体芯片、以露出上述端子部的一部分的方式密封上述半导体芯片的树脂部，上述端子部具有在第1引线的顶面叠合第2引线的底面并熔接而成的结构，在上述端子部的长边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向上述半导体芯片侧延伸，且，在上述端子部的短边方向上，上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向两侧延伸，在上述第1引线的底面的所述半导体芯片侧形成有阶差部，在所述阶差部，形成有与所述第2引线熔接的连接部，上述第2引线的底面的比上述第1引线的顶面更向外延伸的区域以及上述阶差部被上述树脂部覆盖。

<发明的效果>

根据上述公开的技术，能够提供端子部与树脂部的紧密性更高的半导体装置等。

附图说明

图1A、1B是例示第1实施方式的半导体装置的图(其1)。

图2A～2C是例示第1实施方式的半导体装置的图(其2)。

图3是例示第1实施方式的半导体装置的制造步骤的图(其1)。

图4是例示第1实施方式的半导体装置的制造步骤的图(其2)。10

图5A～5C是例示第1实施方式的半导体装置的制造步骤的图(其3)。

图6A～6C是例示第1实施方式的半导体装置的制造步骤的图(其4)。

图7A、7B是例示第1实施方式的变形例的半导体装置的剖面图。

图8A～8C是例示第2实施方式的半导体装置的图。

图9A～9C是例示第3实施方式的半导体装置的图。15

图10A、10B是例示第4实施方式的半导体装置的图(其1)。