[发明专利]太阳能电池激光背电极窗口开窗终点判断方法在审
申请号: | 201510882974.1 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN105551990A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 陈云 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 蔡晶晶 |
地址: | 226019 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 激光 电极 窗口 开窗 终点 判断 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池激光背电极窗口开窗终点判断方法,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
随着人们环保意识的提高,对于清洁能源的需求日益旺盛。在人们研究的新型清洁能源中,太阳能作为一种不受地域限制的清洁能源成为了未来新能源发展的主要方向。太阳能电池是人们利用太阳的光能转换为电能的主要装置。但是,目前太阳能电池的转换效率还不能达到人们的要求。提高太阳能电池的转换效率,降低太阳能电池制造成本成为了人们研究的热点。
为了提高电池的转换效率,人们对电池进行了结构和工艺方法的多种研究。其中,有很多电池的制备方法都需要对电池上的钝化薄膜进行局部蚀除,形成电极通路或窗口。如双面钝化电池,需要对电池背面被钝化薄膜覆盖的区域进行局部蚀除,以形成背电极所需的电极窗。一般来说,对于局部蚀除使用的工艺方法是利用微电子工艺的光刻的方法来进行,但是,这个方法在太阳能工业上应用会导致电池生产成本大大提高,生产效率下降。目前,背电极窗口的形成方法主要为应用掩模的化学法,该方法需要在电池上镀上防腐蚀的胶体,工艺完成后,需要对电池表面进行彻底的清洗,这不仅仅带来了电池生产步骤地增加,同时,清洗的废液对环境有较大的污染。因此,必须寻找一种无污染,高效的背电极窗口蚀除工艺方法。
应用激光进行背电极窗口的刻蚀可以有效的克服以上工艺方法的缺点。激光窗口刻蚀工艺可以无需掩模而一次形成电池所需的背电极窗口区,不会使得非电极区的杂质进行二次扩散。同时,激光掺杂技术能有效地与现有的太阳能电池生产线相兼容,适用于加工商业级的晶体硅太阳电池。
但是,如果激光能量过高会导致电池表层硅晶格结构被破坏,从而形成高复合层,降低电池的效率;而激光能量过低,又无法达到彻底刻蚀绝缘钝化层的目的,所以激光背电极窗口开窗工艺存在一定的工艺难度。由于每批次的太阳能电池的背表面状态不尽相同,激光背电极窗口开窗工艺难以以某一确定的激光参数进行生产。因此,激光背电极窗口开窗工艺较难直接应用于大规模电池生产。
为了解决以上激光背电极窗口开窗工艺的困难,需要一种有效的激光背电极窗口开窗终点判断方法。
发明内容
本发明的目的在于:克服上述现有技术的缺陷,提出一种太阳能电池激光背电极窗口开窗终点判断方法,工艺实现简单,生产成本低,测试结果性能可靠。
为了达到上述目的,本发明提出的太阳能电池激光背电极窗口开窗终点判断方法,包括如下步骤:
第1步、从同一批次的电池片中选取一个电池片作为样品,电池片样品的背面淀积有厚度均匀的背钝化层,所述背钝化层为二氧化硅层或氮化硅层中的一种;
第2步、利用相同波长和脉冲频率的脉冲型激光对电池片样品的背面进行N次刻蚀,第1次刻蚀的面积为N*A,第2次刻蚀的面积为(N-1)*A,以此类推,第N次刻蚀的面积为A,第i次刻蚀的区域在第i-1次刻蚀的区域范围内,其中,i=2,3,…,N;
第3步、利用四探针测量经受j次激光刻蚀后的该区域电池片背面的表面电阻率,并进行记录,其中,j=1,2,…,N;本步骤中四探针测量电池片背面表面电阻率时,探针需刺穿背钝化层达到电池表面进行测试;
第4步、从电池片经受刻蚀次数由少至多进行观察,缓慢增加的硅片表面电阻率突然变大处所对应的即为该批次电池片背部的激光开窗深度,设硅片表面电阻率突然变大处硅片经受了X次激光刻蚀,则利用与步骤2中相同波长和脉冲频率的脉冲型激光对该批次电池片背面进行X次刻蚀完成背部开窗。
本发明太阳能电池激光背电极窗口开窗终点判断方法的进一步改进在于:
1、第2步中,选用波长为1064nm,频率为25-35Hz的脉冲型激光对电池片的背面进行刻蚀,每平方厘米电池片所受到的激光作用时间为15-25s。
2、第2步中,A=100mm2。
3、第2步中,在无氧环境下进行激光刻蚀。
4、第2步中,激光刻蚀后电池片减薄厚度为20-23nm。
5、第2步中,N的取值范围为15-25。
6、第4步中,利用台阶仪测量硅片减薄深度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造