[发明专利]一种电压检测延时屏蔽电路在审
| 申请号： | 201510883136.6 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN105610419A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 周尧;刘桂芝;黄年亚;王冬峰 | 申请（专利权）人： | 无锡矽林威电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/28 | 分类号： | H03K17/28;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黄冠华 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市无锡国家高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电压 检测 延时 屏蔽 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种电压检测延时屏蔽电路，其特征在于，包括第一NMOS管(101)、第 二NMOS管(102)、第三NMOS管(103)、第四PMOS管(104)和第五PMOS管(105)； 其中，所述第一NMOS管(101)、第二NMOS管(102)和第三NMOS管(103)构 成为整个电路提供偏置电流的电流镜；所述第四PMOS管(104)的源极与输入电 压信号VIN连接，所述第五PMOS管(105)的源极与输入电压信号TESTPIN连 接；所述第四PMOS管(104)的漏极与所述第二NMOS管(102)的漏极连接；所 述第五PMOS管(105)的漏极与所述第三NMOS管(103)的漏极连接；所述第五 PMOS管(105)的栅极分别与所述第四PMOS管(104)的栅极和漏极连接。
2.如权利要求1所述的一种电压检测延时屏蔽电路，其特征在于，所述第 一NMOS管(101)、第二NMOS管(102)以及第三NMOS管(103)的导电沟道的 宽与长的比相等。
3.如权利要求1所述的一种电压检测延时屏蔽电路，其特征在于，所述第 四PMOS管(104)的导电沟道的宽与长的比大于第五PMOS管(105)的导电沟道 的宽与长的比。
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