[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个有源鳍，所述多个有源鳍从衬底突出并在第一方向上延伸；

第一器件隔离层，所述第一器件隔离层设置在所述有源鳍的第一侧；

第二器件隔离层，所述第二器件隔离层设置在所述有源鳍的第二侧，其中，所述第二器件隔离层的顶表面比所述第一器件隔离层的顶表面高，并且所述第二侧与所述第一侧相反；

正常栅极，所述正常栅极在与所述第一方向交叉的第二方向上跨过所述有源鳍延伸；

第一虚设栅极，所述第一虚设栅极在所述第二方向上跨过所述有源鳍和所述第一器件隔离层延伸；以及

第二虚设栅极，所述第二虚设栅极在所述第二方向上跨过所述第二器件隔离层延伸，

其中所述第二虚设栅极设置在所述第二器件隔离层的边界内并且所述第二虚设栅极与所述有源鳍的所述第二侧间隔开，以及

其中所述第二器件隔离层的顶表面高于所述第一器件隔离层的顶表面和所述有源鳍的顶表面；以及

第三虚设栅极，所述第三虚设栅极在所述第二方向上跨过所述第一器件隔离层，

其中所述第三虚设栅极设置在所述第一器件隔离层的边界内并且所述第三虚设栅极与所述有源鳍的所述第一侧间隔开。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二器件隔离层的底表面比所述第一器件隔离层的底表面低。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二器件隔离层的底表面比所述衬底的顶表面低。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二虚设栅极远离所述有源鳍的第一侧。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二虚设栅极与所述第二器件隔离层和至少一个有源鳍交叠。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

杂质外延层，所述杂质外延层设置在所述有源鳍上且在所述第一虚设栅极和邻近所述第一虚设栅极的正常栅极之间。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述正常栅极、所述第一虚设栅极和所述第二虚设栅极中的每一个包括金属栅极。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述正常栅极包括金属栅极，所述第一虚设栅极和所述第二虚设栅极中的至少一个包括多晶硅栅极。

9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三虚设栅极，所述第三虚设栅极在所述第二方向上跨过所述第一器件隔离层延伸并且与所述有源鳍的第一侧间隔开。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述正常栅极和所述第一虚设栅极至第三虚设栅极中的每一个包括金属栅极。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述正常栅极包括金属栅极，所述第一虚设栅极至第三虚设栅极中的至少一个包括多晶硅栅极。