[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法

说明书

提供了一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突出、在第一方向上延伸。第一器件隔离层设置在所述有源鳍的第一侧。第二器件隔离层设置在有源鳍的第二侧。第二器件隔离层的顶表面比第一器件隔离层的顶表面高，第二侧与第一侧相反。正常栅极在与第一方向交叉的第二方向上跨过有源鳍延伸。第一虚设栅极在第二方向上跨过有源鳍和第一器件隔离层延伸。第二虚设栅极在第二方向上跨过第二器件隔离层延伸。

技术领域

本发明概念涉及半导体器件及制造该半导体器件的方法。

背景技术

随着半导体器件在尺寸上缩小，三维沟道结构被用于增加电流控制能力并减小半导体器件的短沟道效应(SCE)。

发明内容

根据本发明概念的示例性实施方式，提供一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突出，在第一方向上延伸。第一器件隔离层设置在有源鳍的第一侧。第二器件隔离层设置在有源鳍的第二侧。第二器件隔离层的顶表面高于第一器件隔离层的顶表面，并且第二侧与第一侧相反。正常栅极在与第一方向交叉的第二方向上跨过有源鳍延伸。第一虚设栅极在第二方向上跨过有源鳍和第一器件隔离层延伸。第二虚设栅极在第二方向上跨过第二器件隔离层延伸。

根据本发明概念的示例性实施方式，提供了一种半导体器件如下。第一有源鳍从衬底突出，在第一方向上延伸。第二有源鳍从衬底突出，在第一方向上延伸。第二有源鳍在与第一方向交叉的第二方向上与第一有源鳍间隔开。第一器件隔离层设置在第一有源鳍的第一侧和第二有源鳍的第一侧。第二器件隔离层设置在第一有源鳍的第二侧和第二有源鳍的第二侧。第一有源鳍的第二侧与第一有源鳍的第一侧相反。第一虚设栅极在第二方向上延伸，与第一有源鳍、第二有源鳍和第一器件隔离层交叠。第二虚设栅极在第二方向上延伸，与第一有源鳍和第二器件隔离层交叠。

根据本发明概念的示例性实施方式，提供了一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突出，在第一方向上延伸。第一器件隔离层设置在有源鳍的第一侧。第二器件隔离层设置在有源鳍的第二侧。第二器件隔离层具有比第一器件隔离层的顶表面高的顶表面。正常栅极在与第一方向交叉的第二方向上跨过有源鳍延伸。第一虚设栅极在第二方向上跨过第一器件隔离层延伸。第二虚设栅极在第二方向上跨过第二器件隔离层和有源鳍延伸。

根据本发明概念的示例性实施方式，提供了一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突出，在第一方向上延伸。器件隔离层设置在有源鳍的一侧并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。正常栅极在与第一方向交叉的第二方向上跨过有源鳍延伸。第一虚设栅极在第二方向上跨过器件隔离层延伸。第二虚设栅极在第二方向上跨过有源鳍和器件隔离层延伸。

根据本发明概念的示例性实施方式，提供了一种制造半导体器件的方法如下。形成有源鳍。有源鳍从衬底突出，在第一方向上延伸。形成第一器件隔离层，第一器件隔离层在有源鳍的第一侧延伸。形成第二器件隔离层，第二器件隔离层在有源鳍的与第一侧相反的第二侧延伸。第二器件隔离层具有比第一器件隔离层的顶表面高的顶表面。形成第一虚设栅极，第一虚设栅极在与第一方向交叉的第二方向上跨过有源鳍和第一器件隔离层延伸。形成第二虚设栅极，第二虚设栅极在第二方向上跨过有源鳍延伸。形成第三虚设栅极，第三虚设栅极在第二方向上跨过第二器件隔离层延伸。第二虚设栅极夹置在第一虚设栅极和第三虚设栅极之间。第二虚设栅极用金属栅极替换。

根据本发明概念的示例性实施方式，提供了一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突出，在第一方向上延伸。第一器件隔离层邻近有源鳍的第一侧。第二器件隔离层邻近有源鳍的与第一侧相反的第二侧。第一虚设栅极设置在有源鳍和第一器件隔离层上。有源鳍和第一器件隔离层之间的第一边界在第一虚设栅极之下。第二虚设栅极设置在有源鳍和第二器件隔离层上。有源鳍和第二器件隔离层之间的第二边界在第二虚设栅极之下。正常栅极设置在第一虚设栅极和第二虚设栅极之间的有源鳍上。

附图说明

发明概念的这些和其他特征将通过参照附图详细描述其示例性实施方式而变得更清楚，图中：