[发明专利]薄膜晶体管数组结构

权利要求书

1.一种薄膜晶体管数组结构，系用在一液晶显示器上，其特征在于，该薄膜晶体管数组结构包括：

一显示区；

至少一扇出区；

至少一数据线和至少一信号线互相垂直地延伸在该显示区中；

一第一和一第二量测垫片位在该至少一扇出区中；

一第一和一第二开关位在该至少一扇出区中；

一第一量测线连接该至少一数据线的末端并经由该第一开关来和该第一量测垫片相连接；

一第二量测线连接该至少一扫描线的末端并经由该第二开关来和该第二量测垫片相连接；

其中,当该第一和第二开关为断开时，该液晶显示器可正常作用，当该第一开关为连通时，在该至少一数据在线衰减后的电压信号强度可藉由量测该第一量测垫片来被获得，及当该第二开关为连通时，在该至少一扫描在线衰减后的电压信号强度可藉由量测该第二量测垫片来被获得。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管数组结构，其特征在于，该第一和第二开关系为半导体开关。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管数组结构，其特征在于，该半导体开关为N通道金属氧化物半导体(N-channelmetaloxidesemiconductor，N-MOS)开关。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管数组结构，其特征在于，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关、该第一和第二量测垫片和该第一和第二量测线为在形成该薄膜晶体管数组结构的组件时来一起同时形成。

5.如权利要求3所述的薄膜晶体管数组结构，其特征在于，该第一和第二N信道金属氧化物半导体开关分别受第一和第二信号所控制，当该第一和第二信号为低电平时，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关为断开的，当该第一和第二信号为高电平时，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关为连通的。

6.一种薄膜晶体管数组结构，系用在一液晶显示器上，其特征在于，该薄膜晶体管数组结构包括：

一显示区；

一第一扇出区位在该显示区的上方；

一第二扇出区位在该显示区的一侧；

一第一数据线垂直地延伸在该显示区上；

一第一扫描线水平地延伸在该显示区上；

一第一N通道金属氧化物半导体开关形成在该第一扇出区中；

一第二N通道金属氧化物半导体开关形成在该第二扇出区中；

一第一量测垫片形成在该第一扇出区中；

一第二量测垫片形成在该第二扇出区中；

一第一量测线延伸介于该显示区和该第一扇出区之间，连接该第一数据线的末端，并通过该第一N通道金属氧化物半导体开关和该第一量测垫片相连接；及

一第二量测线延伸介于该显示区和该第二扇出区之间，连接该第一扫描线的末端，并通过该第二N通道金属氧化物半导体开关和该第二量测垫片相连接。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管数组结构，其特征在于，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关系分别受第一和第二信号控制。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管数组结构，其特征在于，当该第一和第二信号为低电平时，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关为断开状态，此时，该液晶显示器可正常作用。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管数组结构，其特征在于，当该第一和第二信号为高电平时，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关为连通状态，此时，量测该第一和第二量测垫片上的电压信号强度可得到该第一数据线和第一扫描在线衰减后的电压信号强度。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管数组结构，其特征在于，该第一和第二N信道金属氧化物半导体开关、该第一和第二量测垫片和该第一和第二量测线为在形成该薄膜晶体管数组结构的组件时来一起同时形成。