[发明专利]薄膜晶体管数组结构

说明书

技术领域

本案涉及一显示面板，特别是一种用于液晶显示器之薄膜晶体管数组(ThinFilmTransistor(TFT)Array)结构，其扫描线和数据线的输出信号可被直接地量测。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD,ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay)是当前平板显示器的主要产品之一，已经成为现在信息产品及视讯产品的重要显示平台。

参考图1，薄膜晶体管液晶显示器40主要驱动原理为系统主板(未显示)将红/绿/蓝(R/G/B)的压缩信号、控制信号和电力通过扁平电缆(未显示)和印刷电路板50上的连接器52相连接。电路板50透过薄膜上源极芯片(Source-ChiponFilm,S-COF)54和薄膜上闸极芯片(Gate-ChiponFilm,G-COF)56来和薄膜晶体管数组(Array)57相连接。接着透过薄膜晶体管数组57上的数据线(Dataline)58和扫描线(Scanline)60对像素电极(未显示)充电，从而实现液晶显示器40的显像功能。

因为薄膜晶体管数组57的走线存在一定的电容和电阻，所以经过数据线58和扫描线60的传输后，信号会产生失真现象。因此，在产品研发和后续产品分析过程中，常常需要量测经过薄膜晶体管数组57上的数据线58和扫描线60传输衰减后的电压信号强度。然而在实际应用中，因为数据线和扫描线的末端位在玻璃基片的边缘，因此仅能在对玻璃基板进行裂片钻洞处理后，才可进行量测。此一方法需要较久的时间，而裂片钻孔后产品即被破坏，造成浪费。同时裂片钻孔后会造成液晶挥发，人体吸入后会对健康造成不利的影响。

因此，需要提出新的薄膜晶体管数组结构以解决上述的问题。

发明内容

本发明在一薄膜电晶数组结构的扇出区(fan-outarea)中形成有量测垫片和显示区间中的数据线和扫描线经由第一和第二N通道金属氧化物半导体开关相连接。藉由量测该量测垫片上的电压信号强度可得到数据线和扫描在线衰减后的电压信号强度。

本发明的一实施例提出一种薄膜晶体管数组结构，系用在一液晶显示器上，该薄膜晶体管数组结构包括：一显示区；至少一扇出区；至少一数据线和至少一信号线互相垂直地延伸在该显示区中；一第一和一第二量测垫片位在该至少一扇出区中；一第一和一第二开关位在该至少一扇出区中；一第一量测线连接该至少一数据线并经由该第一开关来和该第一量测垫片相连接；一第二量测线连接该至少一扫描线并经由该第二开关来和该第二量测垫片相连接；其中,当该第一和第二开关为断开时，该液晶显示器可正常作用，当该第一开关为连通时，在该至少一数据在线衰减后的电压信号强度可藉由量测该第一量测垫片来被获得，及当该第二开关为连通时，在该至少一线扫描上衰减后的电压信号强度可藉由量测该第二量测垫片来被获得。

较佳地，所述第一和第二开关系半导体开关。

较佳地，所述半导体开关为N通道金属氧化物半导体(N-channelmetaloxidesemiconductor，N-MOS)开关。

较佳地，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关、该第一和第二量测垫片和该第一和第二量测线为在形成该薄膜晶体管数组结构的组件时来一起同时形成。

较佳地，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关分别受第一和第二信号所控制，当该第一和第二信号为低电平时，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关为断开的，当该第一和第二信号为高电平时，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关为连通的。

本发明的一实施例亦提出一种薄膜晶体管数组结构，系用在一液晶显示器上，该薄膜晶体管数组结构包括：一显示区；一第一扇出区位在该显示区的上方；一第二扇出区位在该显示区的一侧；一第一数据线垂直地延伸在该显示区上；一第一扫描线水平地延伸在该显示区上；一第一N通道金属氧化物半导体开关形成在该第一扇出区中；一第二N通道金属氧化物半导体开关形成在该第二扇出区中；一第一量测垫片形成在该第一扇出区中；一第二量测垫片形成在该第二扇出区中；一第一量测线延伸介于该显示区和该第一扇出区之间，连接该第一数据线的末端，并通过该第一N通道金属氧化物半导体开关和该第一量测垫片相连接；及一第二量测线延伸介于该显示区和该第二扇出区之间，连接该第一扫描线的末端，并通过该第二N通道金属氧化物半导体开关和该第二量测垫片相连接。

较佳地，该第一和第二N通道金属氧化物半导体开关系分别受第一和第二信号控制。