[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包含：

一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；

一电容感测层，位于该第二表面上，该电容感测层具有相对于该第二表面的一第三表面，并包含：

多个电容感测电极，位于该第二表面上；以及

多条金属导线，位于所述电容感测电极上；以及

一运算晶片，位于该第三表面上，并电性连接至所述电容感测电极。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包含：

多个第一外部导电连结，位于所述金属导线上，并电性连接至该运算晶片；以及

多个第二外部导电连结，位于所述金属导线上，其中该运算晶片位于所述第二外部导电连结上。

3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，所述第一外部导电连结通过所述金属导线，以及所述第二外部导电连结电性连接至该运算晶片。

4.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该电容感测层还包含：

多个第一导电垫，位于所述金属导线与所述第一外部导电连结之间；以及

多个第二导电垫，位于所述金属导线与所述第二外部导电连结之间。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该基板的材质为玻璃、蓝宝石、氮化铝、或其组合。

6.一种晶片封装体，其特征在于，包含：

一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面；

一电容感测层，位于该第一表面下，该电容感测层具有相对于该第一表面的一第三表面，并包含：

多个电容感测电极，位于该第三表面上；以及

多条金属导线，位于所述电容感测电极上；

一运算晶片，位于该电容感测层上，并电性连接至所述电容感测电极；以及

一凹陷，自该第二表面朝该第一表面延伸，并暴露所述金属导线，其中该运算晶片位于该凹陷中。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，还包含一穿孔自该第二表面朝该第一表面延伸，并暴露所述金属导线。

8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，还包含：

一绝缘层，位于该第二表面上并延伸至该穿孔中覆盖该穿孔的孔壁；

一重布局线路层，位于该绝缘层上并延伸至该穿孔中接触所述金属导线；

一保护层，位于该重布局线路层上，该保护层具有多个第一开口以及多个第二开口以暴露该重布局线路层；

多个第一外部导电连结，位于所述第一开口中，并接触该重布局线路层；以及

多个第二外部导电连结，位于所述第二开口中，并接触该重布局线路层。

9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，该运算晶片设置于该第二表面，并位于所述第二外部导电连结上。

10.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，所述第一外部导电连结通过该重布局线路层，以及所述第二外部导电连结电性连接至该运算晶片。

11.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，还包含：

一绝缘层，位于该第二表面上并延伸至该凹陷中覆盖该凹陷的孔壁；

一重布局线路层，位于该绝缘层上并延伸至该凹陷中接触所述金属导线；

一保护层，位于该重布局线路层上，该保护层具有多个第一开口以暴露该第二表面上的该重布局线路层；

多个第一外部导电连结，位于所述第一开口中，并接触该重布局线路层，其中所述第一外部导电连结电性连接至该运算晶片；以及

多个第二外部导电连结，位于该凹陷中，并接触该重布局线路层。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体，其特征在于，该运算晶片位于所述第二外部导电连结上。