[发明专利]一种涂布系统及利用该涂布系统制备纳米银线导电薄膜的方法

说明书

本发明涉及光学薄膜，尤其涉及一种涂布系统、一种纳米银线导电薄膜及其制备方法。为了解决现有纳米银线导电薄膜生产方法导致的纳米银线导电膜表面电阻分布均匀性不好、点缺陷较多和生产效率不高的问题，本发明提供一种涂布系统、纳米银线导电薄膜及其制备方法。所述涂布系统包括放卷系统，预热整理烘箱，涂液上料系统，烘箱，压合系统，喷涂系统，紫外光固化系统，收卷系统。本发明提供的涂布系统制备得到的导电膜的表面电阻分布较均匀，点缺陷较少，在导电层涂层厚度一定的条件下，可以降低电阻，提高导电效率，同时，生产效率也有显著提高。

技术领域

本发明涉及光学薄膜，尤其涉及一种涂布系统、一种纳米银线导电薄膜及其制备方法。所述纳米银线导电薄膜用于触控显示、大阳能电池、LED照明等领域。

背景技术

氧化铟锡ITO(ITO,Indium Tin Oxide)导电膜是目前最广泛应用的透明导电膜材料，但ITO材料的脆性和ITO膜的高电阻使它在柔性显示和大尺寸触控应用领域受到限制。近年来，ITO导电膜的替代产品不断出现，其中纳米银线导电薄膜的发展迅速，在一些领域得到了应用。纳米银线导电薄膜包括透明基材及粘覆在基材表面的纳米银线层，纳米银线分布在纳米银线层中，各纳米银线相互搭接而导电，纳米银线凸显在纳米银线层的表面，在透明基材的表面形成导电层。

纳米银线导电薄膜的制备方法有多种，如移印、转印和直接涂布方法；直接在基膜上涂布纳米银线导电薄膜是目前主要的方法，如中国发明专利申请号为201410188845.8，公开日期为2014年8月20日，专利名称为“一种高透过率纳米金属透明导电膜的制造方法”的发明专利所示，和中国发明专利申请号为201410229462.0，公开日期为2014年8月27日，专利名称为“一种纳米银线透明导电膜的生产方法”的发明专利所示。直接在基膜上涂布纳米银线导电层的卷对卷涂布方法由放卷、涂布、烘干和收卷等工艺步骤组成，生产效率高，工艺相对简单，涂布过程不带薄膜预热整理、不带涂布头张力阻断控制和后涂层压实处理；但由于用于生产纳米银线导电薄膜的PET基材一般需要先经过单面或双面的紫外光固化硬化处理，硬化后的薄膜由于层间应力存在，不是完全平整的；同时导电涂层厚度一般较薄，在200nm以下，涂布精度控制要求较高；纳米银线的直径虽然在50nm以下，但其长度一般为10-30μm，长径比很大，涂布干燥后，局部地方的银线因树脂的阻隔等原因而没有紧密的叠交，影响导电性能，因此，这种通过不带薄膜预热整理、不带涂布头张力阻断控制和后涂层压实处理的涂布方法生产的纳米银线导电薄膜的表面电阻分布的均匀性不高，各点表面电阻的差值达到15％以上，影响纳米银线导电薄膜在精密触控显示器上的应用。

另一方面，纳米银线层是采用水性涂液涂布而成，适合使用的水性树脂的硬度不高，直接使用容易受潮气和空气的氧化，影响导电性能，因此要对纳米银线层再涂一层紫外光固化保护涂层。导电层和保护层分两次涂布在生产上会引起表面刮伤和点缺陷数量的增加，导致生产良率和品质下降。一个原因是导电层不耐刮，收卷时因张力控制不好或薄膜表面吸附灰尘造成刮伤；二是生产导电膜的环境虽然是洁净室，等级即使达到100-1000级，空间还是有一定量的颗粒，二次涂布时，放卷过程产生的静电会吸附生产环境的灰尘，形成点缺陷，使生产良率和品质降低。

发明内容

为了解决现有纳米银线导电薄膜生产方法导致的纳米银线导电膜表面电阻分布均匀性不好、点缺陷较多和生产效率不高的问题，本发明提供一种涂布系统、纳米银线导电薄膜及其制备方法。本发明提供的涂布系统制备得到的导电膜的表面电阻分布较均匀，点缺陷较少，在导电层涂层厚度一定的条件下，可以降低电阻，提高导电效率，同时，生产效率也有显著提高。

为了达到上述目的，本发明采用下述技术方案：

本发明提供一种光学薄膜的涂布系统，所述涂布系统包括放卷系统(1)，预热整理烘箱(3)，涂液上料系统(4)，烘箱(6)，压合系统(7)，喷涂系统(8)，紫外光固化系统(10)，收卷系统(12)。