[发明专利]一种晶圆腐蚀装置在审
申请号: | 201510893665.4 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN105336649A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 张欢 | 申请(专利权)人: | 上海广奕电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 腐蚀 装置 | ||
1.一种晶圆腐蚀装置,应用于对晶圆的表面物质腐蚀处理,其特征在于,包括:
内箱体,所述内箱体内部形成一可拆卸设置的空腔,所述空腔用以承载有复数个所述晶圆的晶圆盒,于所述内箱体底部设置有一匹配一多边形旋转柱的槽;
外箱体,于所述内箱体间设置一预定间隔并完全覆盖所述内箱体;
传动装置,所述传动装置的驱动端连接一驱动单元,所述传动装置的输出端连接所述多边形旋转柱;
溢流泵,设置于所述内箱体内,用以提供推动力推动盛放于所述内箱体的腐蚀溶液溢流入所述外箱体内;
其中,于所述溢流泵推动所述腐蚀溶液溢流入所述外箱体时,所述多边形旋转柱于所述传动装置的驱动下,带动所述晶圆于流动的所述腐蚀液体中旋转。
2.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀装置,其特征在于,于所述内箱体底部还设置有匹配所述晶圆盒的片盒托架。
3.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀装置,其特征在于,与所述外箱体底部设置有一匹配所述多边形旋转柱的弧形凸起。
4.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀装置,其特征在于,所述内箱体的溢流口呈锯齿形。
5.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀装置,其特征在于,所述多边形旋转柱为五边形旋转柱。
6.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀装置,其特征在于,所述多边形旋转柱包括金属轴和以所述金属轴为多边形的内切圆心外接形成一内角相等、边长相等的正多边形空心柱。
7.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀装置,其特征在于,于所述多边形旋转柱与所述内箱体的连接处固定设置一卡合所述多边形旋转柱的卡套。
8.根据权利要求6所述的晶圆腐蚀装置,其特征在于,所述金属轴由钛金属形成。
9.根据权利要求1所述的晶圆腐蚀装置,其特征在于,所述传动装置包括依次连接的主齿轮、第一传动齿轮、第二传动齿轮,所述第二传动齿轮连接所述多边形旋转柱的所述轴伸端。
10.根据权利要求6所述的晶圆腐蚀装置,其特征在于,所述金属轴与所述正多边形空心柱通过热焊接固定连接,使得所述正多边形空心柱完全包覆所述金属轴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造